Navitas 最近推出了具有单片集成栅极驱动器的第四代 GaN 功率晶体管
该公司以 GaNsafe 为品牌，增强了与驱动器集成的保护功能，并采用 10 x 10mm TOLL 封装，并采用定制内部引线框架（下图）。 初始产品的额定电压为 650V（800V 瞬态），...
分类：新品快报 时间：2023/9/11 阅读：491 关键词：MPU
EPC7001具有4mΩ导通电阻、60A（250A 300μs脉冲25°C）容量，占用面积7mm 2 EPC7002 开启至 14.5mΩ，可通过其 1.87mm 2占位面积处理 10A（62A 300μs 脉冲 25°C） ...
分类：新品快报 时间：2023/7/21 阅读：403 关键词： GaN 功率晶体管
据ICinsights分析，功率晶体管销售额在2022年有望增长11%，预计今年将达到245亿美元，连续第六次创下历史新高，这主要是因为这一大型分立器件产品的平均销售价格(ASP)创下...
分类：业界动态 时间：2022/10/10 阅读：746
EPC新推350 V氮化镓功率晶体管，比等效硅器件小20倍且成本更低
宜普电源转换公司（EPC）近日宣布推出EPC2050，这是一款350VGaN晶体管，zui大RDS(on)为80mΩ，脉冲输出电流为26A。EPC2050的尺寸仅为1.95mmx1.95mm，与采用等效硅器件的解...
分类：新品快报 时间：2022/4/14 阅读：1876
埃赋隆推出400W坚固耐用的Doherty射频功率晶体管，据此扩展LDMOS基站和多载波产品线
埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出BLC10G27XS-400AVT400W非对称Doherty射频功率晶体管。此Doherty晶体管专为在2.496GHz至2.690GHz频率范围内工作的基站多载波应用而设计...
分类：新品快报 时间：2021/10/28 阅读：1915
意法半导体的STPOWERLDMOS晶体管产品家族新最近新增多款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)优化设计。 ●IDCH系...
分类：新品快报 时间：2021/8/20 阅读：2717
GaN Systems - 氮化镓功率晶体管价格降至1美元以下
GaN（氮化镓）功率晶体管的 GaN Systems今天宣布，其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。 这些晶体管通常用于智能手机和笔记本电脑以及各种消费品和工业应用的氮化镓充电器和AC适配器。 随着 众多消费者，企业和工业...
分类：名企新闻 时间：2021/6/8 阅读：501
高频开关eGaN?功率晶体管、极小型化及增强了效率的电源转换方案
GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继代Ge、Si半导体材料...
EPC推出350V新款eGaN功率晶体管 相比硅产品尺寸缩小20倍
EPC2050芯片，1.95 mm x 1.95 mm据麦姆斯咨询报道，Efficient Power Conversion（EPC，美国宜普电源转换公司）近日发布了新款350V GaN功率晶体管EPC2050，具有65微欧导通电...
分类：新品快报 时间：2018/4/26 阅读：441 关键词：晶体管
意法半导体推出新款超结MOSFET和首款1500V TO-220FP 宽爬电间距封装功率晶体管
横跨多重电子应用领域、全球的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出一系列采用TO-220FullPAK(TO-220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管，其中包括采用防电弧封装的全球
分类：名企新闻 时间：2016/9/28 阅读：251 关键词：MOSFET
GaN 功率晶体管的“电流崩溃”行为 虽然 GaN 功率晶体管因其低能量损耗和高功率密度能力而在电力电子应用中变得越来越流行，但设计工程师仍然对其可靠性存在一些担忧。G...
设计应用 时间：2023/12/28 阅读：1138
帮助我们了解哪种功率晶体管技术最适合您的功率级设计。重申一下，这些是最大工作电压、最大工作电流和最大开关频率。 这些和其他数据表参数为设计人员提供了做出深思熟虑的设计决策所需的技术信息。但设计人员通常还想知道这些设备在...
基础电子 时间：2023/7/5 阅读：866
EPC新推350 V氮化镓功率晶体管，比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化镓功率晶体管EPC2050专为功率系统设计人员而设计，在极小的芯片级封装中，实现350 V、80 mΩzui大RDS(on)和26 A 峰值电流，是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和LED 照明的理想器件。 宜普电源转换公司（EPC）...
新品速递 时间：2022/4/11 阅读：620
意法半导体的STPOWER LDMOS晶体管产品家族新 近新增多款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)优化设计。 STPOWER LDMOS的产品特色是高能效和低热阻，封装芯片可处理高射频功率，兼备短...
新品速递 时间：2021/8/13 阅读：353
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动...
设计应用 时间：2019/11/8 阅读：410
宜普电源转换公司（EPC）推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97％效率的氮化镓（eGaN®）功率晶体管
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化镓场效应晶体管，其占板面积只是1.1平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on))为25 m?及脉冲输出电流高达37 A 以支持高效功率转换。 要求更高的效率及更高的功率密度的应用现在不需要选择小...
新品速递 时间：2018/9/14 阅读：1030
导读：近日，英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率（700瓦），适用于工作频率范围为1200MHz~1400MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少所需的组件，降低系统成本，提高可靠性。英飞凌新型功率...
新品速递 时间：2014/4/11 阅读：1449
ST新增SD2931-12MR和SD4933MR两款防潮RF功率晶体管
导读：近日，意法半导体（以下简称“ST”）新增两款防潮RF功率晶体管SD2931-12MR和SD4933MR.此两款新器件是在以提高目标应用在高潮湿环境内的耐用性和可靠性的情况下而推出，并且成为了高成本效益的功率射频解决方案。近日，意法半导体（...
新品速递 时间：2013/12/30 阅读：2588
导读：日前，飞思卡尔半导体发布了AFT27S006N和AFT27S010N两款全新的射频功率晶体管，此两款新器件的推出在满足效率提升、峰值功率和信号带宽需求的同时，还能应对降低成本的持续压力，完美的成为Airfast射频功率解决方案。大功率射频（R
新品速递 时间：2013/12/12 阅读：2091
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩...
基础电子 时间：2012/5/25 阅读：2354
