电力电子的快速发展得益于宽禁带（WBG）半导体材料的发展，尤其是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）。这些材料与传统硅相比具有优越的性能，包括更高的击穿电压、更高的热导率...
设计应用 时间：2025/4/22 阅读：163
使用5V门驱动器，可用的最大电阻值为1.2、4.8、8或12MΩ，请参见下表 - 操作最高为125°C。包装是VQFN16，WLCSP22，WLCSP16或WLCSP12。 该公司称，他们“支持移动设备和笔记本电脑中的过电压保护，负载开关和电池管理系统”。 选择...
新品速递 时间：2025/3/19 阅读：320
碳化硅元件 与 GaN 相比，SiC 拥有超过 15 年的二极管实际制造和应用经验以及超过 10 年的晶体管实际制造和应用经验。 SiC JFET 和共源共栅构成了坚实的技术，SiC 增强...
设计应用 时间：2024/11/1 阅读：561
当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时，晶体管将跨越其线性区域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨导非常高，漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此，驱动器在跨越线性...
设计应用 时间：2024/9/13 阅读：264
Si MOSFET 正常工作的驱动电路。 关于制造商的应用说明和电路图的一般性说明：除少数例外，这些都不适合任何系列生产。 基本上，驱动电路必须对栅极输入电容进行充电...
设计应用 时间：2024/7/16 阅读：334
GaN 功率晶体管的“电流崩溃”行为 虽然 GaN 功率晶体管因其低能量损耗和高功率密度能力而在电力电子应用中变得越来越流行，但设计工程师仍然对其可靠性存在一些担忧。G...
设计应用 时间：2023/12/28 阅读：1545
帮助我们了解哪种功率晶体管技术最适合您的功率级设计。重申一下，这些是最大工作电压、最大工作电流和最大开关频率。 这些和其他数据表参数为设计人员提供了做出深思熟虑的设计决策所需的技术信息。但设计人员通常还想知道这些设备在...
基础电子 时间：2023/7/5 阅读：963
EPC新推350 V氮化镓功率晶体管，比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化镓功率晶体管EPC2050专为功率系统设计人员而设计，在极小的芯片级封装中，实现350 V、80 mΩzui大RDS(on)和26 A 峰值电流，是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和LED 照明的理想器件。 宜普电源转换公司（EPC）...
新品速递 时间：2022/4/11 阅读：721
意法半导体的STPOWER LDMOS晶体管产品家族新 近新增多款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)优化设计。 STPOWER LDMOS的产品特色是高能效和低热阻，封装芯片可处理高射频功率，兼备短...
新品速递 时间：2021/8/13 阅读：422
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动...
设计应用 时间：2019/11/8 阅读：484
