肖特基二极管，也称为肖特基势垒二极管，是一种特殊的二极管，其工作原理基于金属和半导体之间的肖特基势垒形成的特性。以下是肖特基二极管的工作原理： 肖特基势垒： 肖特基二极管由金属（通常是铝）和半导体（如硅）构成，金属与...
基础电子 时间：2024/3/18 阅读：307
通常，硅双极二极管用于转换器中。它们的反向恢复会在硬开关电路中的二极管和相应晶体管中产生损耗 [1]；此外，它也可能是软开关电路的限制因素[2]。我们付出了一些努力来优化硅双极二极管的行为 [3]，但不能超过物理极限。 本节简要...
基础电子 时间：2023/10/10 阅读：782
考虑到Si、SiC和GaAs的一般物理参数，SiC似乎是高频功率器件的首选材料。它可以承受最高电场，从而使二极管具有非常高的击穿电压和低正向压降。此外，它具有最低的热阻，允许高通态电流密度。 然而，砷化镓有一些必须考虑的优点： ...
基础电子 时间：2023/9/6 阅读：899
肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写。不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。肖特基的两个主要特点，一个是正向...
基础电子 时间：2023/5/19 阅读：103
肖特基二极管，属于大电流、低功耗、低压、超高速半导体功率器件。它的正向导通压降仅为0.4V左右，反向恢复时间极短，可小至几纳秒；其整流电流可高达几百至几千安培。这些优良性能是快恢复及超快恢复二极管所不具备的。肖特基二极管是用...
设计应用 时间：2023/5/12 阅读：610
通常，异步开关模式电源 (SMPS) 的主要损耗源是二极管的非理想特性。解决此问题的一种方法是使用同步 SMPS，其中二极管被受控 MOSFET 开关取代。这种方法肯定会提高效率；然而，它是以增加电路和需要精确控制为代价的。 同步与异步升压...
设计应用 时间：2023/4/25 阅读：398
一、什么是肖特基二极管 肖特基二极管也称肖特基势垒二极管，简称SBD，它是一种低功耗、超高速半导体器件，它是一种热载流子二极管。 二、肖特基二极管结构 肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极...
基础电子 时间：2022/12/20 阅读：692
肖特基二极管由金属到N结构成，而不是由PN半导体结构成。肖特基二极管也称为热载流子二极管，其特点是开关时间快(反向恢复时间短)、正向压降低(金属硅结通常为0.25V至0.4V)和低结电容。 7.1肖特基二极管技术与结构 肖特基二极管的...
基础电子 时间：2022/12/16 阅读：415
近年来，随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及，应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。其中，中等耐压的二极管因其能有效整流和保护电路，而被广泛应用在从手机到电动汽车动力总成系统等各种电路和领域中，...
基础电子 时间：2022/11/18 阅读：467
肖特基二极管的内部结构 肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管如图 1所示，其主要特点是正向导通压降小（约0.45V），反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低...
基础电子 时间：2021/10/27 阅读：873
