肖特基二极管

肖特基二极管资讯

Nexperia推出1200 V SiC肖特基二极管,扩展宽禁带产品组合,赋能大功率基础设施

Nexperia今日宣布,在其持续壮大的功率电子器件产品组合中新增两款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二极管。PSC20120J和PSC20120L专为满足工业应用中对超低功耗整流器的需求...

分类:新品快报 时间:2025/7/15 阅读:4139 关键词:肖特基二极管

Infineon-英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用GaN晶体管产品系列

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出CoolGaN G5中压晶体管,它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓(GaN)功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能,进一步提升整体系统效率。此外...

时间:2025/4/29 阅读:190 关键词:Infineon

英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用GaN晶体管产品系列

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出CoolGaN G5中压晶体管,它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓(GaN)功率晶体管。该产品系列通过减少不...

分类:新品快报 时间:2025/4/23 阅读:1903 关键词:英飞凌

Infineon - 英飞凌推出CoolSiC肖特基二极管2000 V的TO-247-2封装,在提升效率的同时简化设计

目前,许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展,实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)于 ...

时间:2025/4/1 阅读:178 关键词:英飞凌

英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V的TO-247-2封装,在提升效率的同时简化设计

许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展,实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英...

分类:新品快报 时间:2025/3/17 阅读:435 关键词:英飞凌肖特基二极管

Infineon - 英飞凌推出CoolSiC肖特基二极管2000 V, 直流母线电压最高可达1500 VDC, 效率更高,设计更简单

如今,许多工业应用可以通过提高直流母线电压,在力求功率损耗最低的同时,向更高的功率水平过渡。为满足这一需求,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出CoolSiC?肖特基二...

时间:2025/2/19 阅读:151 关键词:英飞凌

Vishay——新型第三代 1200 V SiC 肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性

新型碳化硅 (SiC) 肖特基二极管  器件采用 MPS 结构设计,额定电流 5 A ~ 40 A  低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低  Vishay 推出 16 款新型第三代 1200 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PI...

时间:2024/7/19 阅读:425 关键词:肖特基二极管

SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块

半导体器件领域企业SemiQ宣布,其QSiC产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电...

分类:新品快报 时间:2024/7/4 阅读:458 关键词:二极管

Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出16款新型第三代1200 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基(...

分类:新品快报 时间:2024/7/1 阅读:436 关键词:SiC肖特基二极管

CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6

“CoolSiC 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术,充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以...

分类:新品快报 时间:2023/10/13 阅读:545 关键词:肖特基二极管

650V SiC 肖特基二极管压降 1.2V

据该公司介绍,在这个名为TRSxxx65H的系列中,采用了一种新的肖特基金属,并且与第二代相比,改变了结势垒结构以降低电场,从而减少泄漏。 标称最大连续电流在 2A 至 12...

分类:新品快报 时间:2023/7/14 阅读:669 关键词:1.2V

Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性

器件采用MPS结构设计,额定电流4 A~ 40 A,正向压降、电容电荷和反向漏电流低 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出17款新型第三代650 ...

分类:新品快报 时间:2023/5/24 阅读:779 关键词:电子

njr推出世界最小尺寸且具有高散热性的650V/10A碳化硅肖特基二极管

如今,为了实现可持续发展和繁荣的社会,在能源领域十分要求效率。本公司为实现这一目标正在开发新的产品群,进而推进下一代电力设备的发展。 这次开始提供的样片NJDC01...

分类:新品快报 时间:2021/4/6 阅读:2121

Vishay推出新型650V SiC肖特基二极管,提升高频应用能效

宾夕法尼亚、MALVERN—2021年1月28日—日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出十款新型650V碳化硅(SiC)肖特基二极管。VishaySemiconductors...

分类:新品快报 时间:2021/1/28 阅读:4613

Vishay推出650V SiC肖特基二极管,提高了高频应用的效率

VishayIntertechnology,Inc.(纽约证券交易所代码:VSH)今天??推出了10个新的650V碳化硅(SiC)肖特基二极管。VishaySemiconductors器件采用合并的PIN肖特基(MPS)设计...

分类:新品快报 时间:2021/1/27 阅读:1792