类别：其他 出处：网络整理 发布于：2024-07-19 11:54:41 | 7 次阅读
日前发布的新一代 SiC 二极管包括 5 A 至 40 A 器件，采用 TO-220AC 2L、TO-247AD 2L 和 TO-247AD 3L 插件封装和 D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用 MPS 结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至 28 nC，正向压降减小为 1.35 V。此外，器件 25 °C 下典型反向漏电流仅为 2.5 ?A，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
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