VishaySiliconix推出业界最小占位面积20Vn通道功率MOSFET＋肖特基二极管
宣布推出业界最小的20Vn通道功率MOSFET＋肖特基二极管---SiB800EDK，该器件采用1.6mm×1.6mm的热增强型PowerPAK?SC-75封装。这款新型器件的推出，意味着Vishay将其在100mA时具有0.32V低正向电压的肖特
分类：名企新闻 时间：2008/12/15 阅读：284 关键词：二极管
VishayIntertechnology,Inc.推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管---SkyFET?SiE726DF，该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFET?SiE7
Vishay推出具有双面冷却功能的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管
VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管---SkyFET?SiE726DF，该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFET?S
Vishay推出第五代高性能45V肖特基二极管30CTT045/60CPT045
Vishay宣布推出结温高达+175℃的首款新型第五代（Gen.5.0）高性能45V肖特基二极管。30CTT045与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术，可提供超低的正向压降以及低反向漏电流，从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布推出结温高达+175°C的业界首款新型第五代（Gen.5.0）高性能45V肖特基二极管。30CTT045与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术，可提供超
Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件，与使用任何先前此类单片器件的电路相比，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高6%。新型VishaySiliconixSi4642DYSkyFET器件已经过测试，可匹敌竞争的单片MOSFE
Vishay当前正在提供目前最小的FlipKY芯片级肖特基二极管。日前宣布推出的VishayFCSPFlipKY系列包含0.5A、1.0A及1.5A器件，这些器件的占位面积为0.9mm×1.2mm及1.5mm×1.5mm。凭借0.6mm(1A器件)
设计进步及封装技术的改进使开发优化的分立半导体器件成为可能，例如低饱和电压晶体管及超低正向压降肖特基整流二极管。此类新器件可满足当今电子产品在散热、效率、空间占用和成本方面的高要求，对于便携式电池供电设备（如笔记本电脑、...
凌力尔特公司推出2A、36V降压型开关稳压器LT3681，该器件可以突发模式（BurstMode）工作，以保持静态电流低于50uA。LT3681在3.6V至34V的VIN范围内工作，具有高达36V的瞬态保护，非常适用于汽车应用中的负载突降和冷车发动
凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出的双路理想二极管“或”控制器LTC4355允许在高可用性系统中用N沟道MOSFET取代肖特基二极管，并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。以这种方式形成的输入电源二极管“或
凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出的双路理想二极管“或”控制器LTC4355允许在高可用性系统中用N沟道MOSFET取代肖特基二极管，并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。以这种方式形成的输入电源二极管“或
ROHM开发的「GMD2」系列产品，采用先进的齐纳二极管、肖特基势垒二极管封装技术，实现了当今世界上最小、最薄的封装尺寸，对于手机和数码相机等各种追求小型化、薄型化设计的电子产品，无疑是选择。0603尺寸「GMD2」封装系列的主要优点0....
ROHM开发的GMD2系列产品，采用先进的齐纳二极管、肖特基势垒二极管封装技术，实现了当今世界上最小、最薄的封装尺寸，对于手机和数码相机等各种追求小型化、薄型化设计的电子产品，无疑是选择。0603尺寸「GMD2」封装系列的主要优点：1)0.
日前，凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出双路、全功能、升压型DC/DC转换器LT3497，该器件从锂离子电池输入驱动多达12个白光LED。其高效率、固定频率工作确保一致的LED亮度和低噪声并限度地延长电池
Linear推出双路、全功能、升压型DC/DC转换器LT3497，该器件从锂离子电池输入驱动多达12个白光LED。其高效率、固定频率工作确保一致的LED亮度和低噪声并限度地延长电池寿命，由于有片上肖特基二极管，因此无需外部二极管，从而节省了成本
