CESA

CESA技术

简述低VCEsat双极晶体管

简介  双极型晶体管是一种电流控制器件,电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比,双极型晶体管开关速度快,但输入阻抗小,功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗...

其它 时间:2011/8/27 阅读:1432

恩智浦推出新一代高效率低VCEsat晶体管

恩智浦半导体(NXPSemiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat(BISS)晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支:超低VCEsat晶体管以及高速开关晶体管。其电压范围为20V-60V,采用小型SMD封装SOT23(2

新品速递 时间:2010/3/8 阅读:3481

恩智浦一代低VCEsat晶体管功率损耗可减少80%

恩智浦半导体(NXP)发布了最新一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电...

新品速递 时间:2007/12/13 阅读:1466

NXP发布一代低VCEsat晶体管其功率损耗可减少80%

恩智浦半导体发布了最新一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电...

新品速递 时间:2007/11/29 阅读:1588