来五星，轩建平，史铁林，杨叔子（华中科技大学微系统中心，武汉 430074）摘要：在MEMS微加工和实验过程过程中，出于制造成本、光刻胶性能的考虑，需要选用合适的光刻胶。本文介绍了常用的正性胶和负性胶以及其曝光、显影的过程，正性胶...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：2288
（电子科技大学 微电子与固体电子学院，成都 610054）摘 要：光刻胶技术是曝光技术中重要的组成部分,高性能的曝光工具需要有与之相配套的高性能的光刻胶才能真正获得高分辨率的加工能力。主要围绕光刻胶在集成电路制造中的应用，对其反应...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：3940
（上海华虹NEC电子有限公司，上海201206）摘 要：介绍了如何通过测量得出的等效扩散长度和光刻机的照明条件来对任何光刻工艺的线宽均匀性进行评估。展示了在0.13um及以下工艺中等效扩散对能量裕度和掩模版误差因子的影响的研究结果。关键...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：2515
李海江，王守国，赵玲利，叶甜春（中国科学院微电子研究所，北京 100010）摘要：介绍了一种新型的常压射频低温冷等离子体放电设备，用该设备进行了清洗光刻胶的工艺实验研究。实验结果表明：在100mm硅片表面涂上9912光刻胶，用等离子体进...
设计应用 时间：2007/4/29 阅读：2559
光刻开始于一种称作光刻胶的感光性液体的应用。图形能被映射到光刻胶上，然后用一个developer就能做出需要的模板图案。光刻胶溶液通常被旋转式滴入wafer。如图2.5所示，wafer被装到一个每分钟能转几千转的转盘上。几滴光刻胶溶液就被滴到...
新品速递 时间：2007/4/29 阅读：1823
该技术应用在ZETA®G3喷雾清洗平台上（2006年3月20日）--FSI国际有限公司（Nasdaq:FSII）面向全球发布全新的ViPR™技术。这项创新技术省去了绝大多数已注入光刻胶去除所需的灰化工艺步骤，包括1x1017离子
新品速递 时间：2007/4/28 阅读：1419
