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GaN器件

当今的电源设计要求高效率和高功率密度。因此，设计人员将氮化镓(GaN)器件用于各种电源转换拓扑。　　GaN可实现高频开关，这样可减小无源器件的尺寸，从而增加密度。与硅和碳化硅(SiC)之类的技术相比，GaN还可降低开关、栅极驱动和反向恢...

时间：2025/6/11 阅读：46 关键词：TI

半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在...

分类：新品快报时间：2025/5/28 阅读：3638 关键词：ROHM

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC“BD2311NVX-LB”。　　近年来，在服务器系统等领域，由于IoT设备的需求日益增...

分类：新品快报时间：2023/10/20 阅读：383 关键词：栅极驱动器

意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工...

分类：新品快报时间：2023/8/4 阅读：491 关键词：PowerGaN器件

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN...

时间：2023/3/22 阅读：294 关键词：电子

未来五年，通信产业向5G时代的革命性转变正在深刻重塑RF（射频）技术产业现状。这不仅是针对智能手机市场，还包括3W应用RF通信基础设施应用，并且，5G将为RF功率市场的化合...

分类：业界要闻时间：2017/7/14 阅读：296 关键词：5G GaN器件

虽然第三代半导体氮化镓备受看好，但要知道氮化镓是一种人造材料，自然形成氮化镓的条件极为苛刻。而基于上述说到氮化镓的优越性能，氮化镓正成为制备宽波谱、高功率、高效...

分类：业界动态时间：2016/11/8 阅读：539

超级半导体材料GaN(氮化镓)的时代正开启。它比传统的硅和GaAs(砷化镓)更加耐压，已成为大功率LED的关键材料之一，并在射频领域中受宠，其中包括Cree、RFMD以及Eudyna和Nitronex推出针对这些市场的GaN产品。另外包括IR、ST

分类：业界要闻时间：2010/11/4 阅读：503 关键词：MOSFET

据YoleDeveloppement预测，2007年氮化镓(GaN)射频器件市场的规模达到了1700万美元，其中，研发占65%，国防和卫星应用占17%，3G基站以及LTE/WiMax应用分别占16%和2%。随着GaN在LTE/WiMax应用中的强劲

分类：行业趋势时间：2008/6/19 阅读：1285

采用业界先进的纳秒量级栅极驱动技术，助力LiDAR和数据中心等应用的小型化和进一步节能~　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC“BD2311NVX-LB”。　　近年来，在服务器系统等领...

新品速递时间：2023/11/27 阅读：2856

氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动...

技术方案时间：2019/11/18 阅读：815