ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC
采用业界先进的纳秒量级栅极驱动技术，助力LiDAR和数据中心等应用的小型化和进一步节能~ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC“BD2311NVX-LB”。 近年来，在服务器系统等领...
新品速递 时间：2023/11/27 阅读：2876
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动...
技术方案 时间：2019/11/18 阅读：835
