SK 海力士副总裁柳成洙出席在首尔广津区华克山庄酒店举办的“SK 利川论坛 2024”。在论坛的第二场会议上,柳成洙公布了 SK 海力士的雄心勃勃的战略,即开发一款性能比现有 ...
分类:名企新闻 时间:2024/8/20 阅读:203 关键词:SK 海力士
“SK海力士的弱点是固态硬盘(SSD)。” 至少在2020年之前,半导体行业都是如此。当时,SK海力士在DRAM领域以20-30%的市场份额排名全球第二,在NAND闪存产品领域以10%的...
DRAM IC 也需要使用 EUV 光刻技术。如今,三星和 SK 海力士在几层芯片上使用 EUV,成本高昂。据 The Elec 报道,SK 海力士的一位研究人员在一次行业会议上表示,为了大幅降...
受人工智能 (AI) 快速发展推动的半导体超级周期已经开始,但预期的 NAND 闪存产量激增尚未实现。与 DRAM 不同,由于数据中心以外的智能手机和个人电脑等消费产品需求疲软,...
据了解,这项资助是美国《芯片和科学法案》(CHIPS Act)的一部分,旨在促进美国国内半导体产业的发展和创新。美国商务部指出,"高性能内存芯片是图形处理单元(GPU)的重...
分类:名企新闻 时间:2024/8/9 阅读:298 关键词:SK海力士
SK海力士已与美国商务部签署谅解备忘录,将获得高达 4.5 亿美元的直接资金,并根据《芯片与科学法案》获得 5 亿美元的贷款,用于在印第安纳州西拉斐特建设先进的内存封装工...
分类:名企新闻 时间:2024/8/8 阅读:286 关键词:SK 海力士
近日,全球第二大内存芯片制造商SK海力士在其官网上宣布,公司通过董事会决议,以约9.4万亿韩元(约合人民币492.56亿元)投资建设韩国龙仁半导体集群的首座厂房和业务设施。SK海力士称,此举是为了夯实公司未来发展基础,并及时应对日益...
分类:名企新闻 时间:2024/8/1 阅读:303 关键词:SK海力士
SK海力士发布了新一代图形存储器GDDR7。SK海力士相关人士表示:“全球AI客户对GDDR表现出极大兴趣,GDDR是一种兼具高性能和高速度的专用于图形处理的D-RAM。为此,我们于3...
韩国主要半导体制造商SK海力士在2023年出现了显著的转机,这得益于对AI半导体和存储设备的需求激增。今年上半年,SK海力士的NAND闪存和SSD生产线M15所在的忠清北道清州市的...
分类:业界动态 时间:2024/7/30 阅读:156 关键词:SK海力士
SK 海力士预计 2024 年 HBM3E 将占其所有 HBM 芯片出货量的一半以上
SK海力士宣布,其第五代高带宽存储器(HBM)HBM3E的出货量预计将占今年所有HBM出货量的一半以上。该公司计划于今年第四季度开始向客户供应HBM3E 12级产品。 SK海力士副...
分类:名企新闻 时间:2024/7/26 阅读:364 关键词:SK 海力士
拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND,指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中,所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
新品速递 时间:2018/6/12 阅读:729
时隔一年多,在大批锤粉和锤黑的密切关注下,锤子终于发布了坚果手机,虽然大家期待的T2没来,但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体,大家都陆续奉上了自己的感...
基础电子 时间:2015/9/1 阅读:2298
根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元(cell)技术所做的详细比较分析发现,虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限,...
基础电子 时间:2013/6/20 阅读:4763
惠普公司今天宣布,已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议,双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术,即使用电阻实现存储的ReRAM(Resistive Random Access Memory电阻式存储器)。 忆阻器技术的研究实际上已有数十...
其它 时间:2011/7/2 阅读:2836
安捷伦(Agilent)科技公司日前宣布:安捷伦与海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)携手推出一款高带宽、高性能的长线ZIF(零插入力)探针,该探针经过优化,适用于DDR(双数据速率)和GDDR(图形双数据速率)SDRA
新品速递 时间:2009/3/13 阅读:2169
恒忆(Numonyx)宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议,在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战,两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品,进行技术创新。根据新协议,恒忆和海力士将扩...
新品速递 时间:2008/8/19 阅读:1520
根据富比世(Forbes)报导,韩厂海力士(Hynix)推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM,号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍,海力士并表示,将推出针对手机平台,结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装(MCP)
新品速递 时间:2007/12/4 阅读:1486
韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产,主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩
新品速递 时间:2007/11/19 阅读:1433
海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元,来替代多个晶体管和电容器的组合,这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来,基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获
新品速递 时间:2007/11/15 阅读:1503
海力士半导体第一季度在DRAM市场取得惊人业绩,三星面临失去DRAM市场桂冠的危险。2007年一季度韩国海力士半导体DRAM销售额为22亿美元,比2006年第四季度增长4.1%。相比之下,第一季度总体DRAM市场销售额下降近10%,其它主要厂商的销
新品速递 时间:2007/8/7 阅读:1574