SK 海力士副总裁柳成洙出席在首尔广津区华克山庄酒店举办的“SK 利川论坛 2024”。在论坛的第二场会议上，柳成洙公布了 SK 海力士的雄心勃勃的战略，即开发一款性能比现有 ...
分类：名企新闻 时间：2024/8/20 阅读：203 关键词：SK 海力士
“SK海力士的弱点是固态硬盘（SSD）。” 至少在2020年之前，半导体行业都是如此。当时，SK海力士在DRAM领域以20-30%的市场份额排名全球第二，在NAND闪存产品领域以10%的...
DRAM IC 也需要使用 EUV 光刻技术。如今，三星和 SK 海力士在几层芯片上使用 EUV，成本高昂。据 The Elec 报道，SK 海力士的一位研究人员在一次行业会议上表示，为了大幅降...
受人工智能 (AI) 快速发展推动的半导体超级周期已经开始，但预期的 NAND 闪存产量激增尚未实现。与 DRAM 不同，由于数据中心以外的智能手机和个人电脑等消费产品需求疲软，...
据了解，这项资助是美国《芯片和科学法案》（CHIPS Act）的一部分，旨在促进美国国内半导体产业的发展和创新。美国商务部指出，"高性能内存芯片是图形处理单元（GPU）的重...
分类：名企新闻 时间：2024/8/9 阅读：298 关键词：SK海力士
SK海力士已与美国商务部签署谅解备忘录，将获得高达 4.5 亿美元的直接资金，并根据《芯片与科学法案》获得 5 亿美元的贷款，用于在印第安纳州西拉斐特建设先进的内存封装工...
分类：名企新闻 时间：2024/8/8 阅读：286 关键词：SK 海力士
近日，全球第二大内存芯片制造商SK海力士在其官网上宣布，公司通过董事会决议，以约9.4万亿韩元（约合人民币492.56亿元）投资建设韩国龙仁半导体集群的首座厂房和业务设施。SK海力士称，此举是为了夯实公司未来发展基础，并及时应对日益...
分类：名企新闻 时间：2024/8/1 阅读：303 关键词：SK海力士
SK海力士发布了新一代图形存储器GDDR7。SK海力士相关人士表示：“全球AI客户对GDDR表现出极大兴趣，GDDR是一种兼具高性能和高速度的专用于图形处理的D-RAM。为此，我们于3...
韩国主要半导体制造商SK海力士在2023年出现了显著的转机，这得益于对AI半导体和存储设备的需求激增。今年上半年，SK海力士的NAND闪存和SSD生产线M15所在的忠清北道清州市的...
分类：业界动态 时间：2024/7/30 阅读：156 关键词：SK海力士
SK 海力士预计 2024 年 HBM3E 将占其所有 HBM 芯片出货量的一半以上
SK海力士宣布，其第五代高带宽存储器（HBM）HBM3E的出货量预计将占今年所有HBM出货量的一半以上。该公司计划于今年第四季度开始向客户供应HBM3E 12级产品。 SK海力士副...
分类：名企新闻 时间：2024/7/26 阅读：364 关键词：SK 海力士
拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
新品速递 时间：2018/6/12 阅读：729
时隔一年多，在大批锤粉和锤黑的密切关注下，锤子终于发布了坚果手机，虽然大家期待的T2没来，但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体，大家都陆续奉上了自己的感...
基础电子 时间：2015/9/1 阅读：2298
根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元（cell）技术所做的详细比较分析发现，虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限，...
基础电子 时间：2013/6/20 阅读：4763
惠普公司今天宣布，已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议，双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术，即使用电阻实现存储的ReRAM（Resistive Random Access Memory电阻式存储器）。 忆阻器技术的研究实际上已有数十...
其它 时间：2011/7/2 阅读：2836
安捷伦(Agilent)科技公司日前宣布：安捷伦与海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)携手推出一款高带宽、高性能的长线ZIF(零插入力)探针，该探针经过优化，适用于DDR(双数据速率)和GDDR(图形双数据速率)SDRA
新品速递 时间：2009/3/13 阅读：2169
恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。根据新协议，恒忆和海力士将扩...
新品速递 时间：2008/8/19 阅读：1520
根据富比世（Forbes）报导，韩厂海力士（Hynix）推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM，号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍，海力士并表示，将推出针对手机平台，结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装（MCP）
新品速递 时间：2007/12/4 阅读：1486
韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产，主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩
新品速递 时间：2007/11/19 阅读：1433
海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获
新品速递 时间：2007/11/15 阅读：1503
海力士半导体第一季度在DRAM市场取得惊人业绩，三星面临失去DRAM市场桂冠的危险。2007年一季度韩国海力士半导体DRAM销售额为22亿美元，比2006年第四季度增长4.1%。相比之下，第一季度总体DRAM市场销售额下降近10%，其它主要厂商的销
新品速递 时间：2007/8/7 阅读：1574
