SK海力士在2026年第二季度继续保持第一的位置，市场份额为50%，但较上一季度下降了14个百分点；三星的市场份额跃升至33%，进一步扩大了对美光的领先优势。 今年第二季度...
分类：业界动态 时间：2026/9/4 阅读：5350 关键词：三星
美国商务部长霍华德?卢特尼克宣布，美国正筹备实施 “定向半导体关税”。该政策依据半导体生产地是否在美国境内，设定不同的关税税率。在美国建设生产设施的半导体公司将获...
分类：业界动态 时间：2026/9/3 阅读：6624 关键词：半导体
LS Securities 对三星电子和 SK 海力士的目标股价做出重大调整。该公司上调了三星电子的目标股价，同时大幅下调了 SK 海力士的目标股价，这一举措反映出 HBM4（第六代高带...
分类：业界动态 时间：2026/8/31 阅读：3853 关键词：三星HBM 4
SK海力士美国先进封装厂动工，2029年下半年量产“美国制造”HBM4E
在人工智能产业蓬勃发展的大背景下，SK 海力士在美国印第安纳州西拉法叶普渡大学举行了一场具有重要意义的奠基仪式，其面向 AI 的存储器先进封装生产基地正式动工。该基地...
分类：名企新闻 时间：2026/8/28 阅读：7091 关键词：SK海力士
在人工智能蓬勃发展的当下，存储芯片市场的供需情况备受关注。韩国芯片制造巨头 SK 海力士的首席执行官郭卢正（Kwak Noh - Jung）近日表示，全球存储芯片短缺的状况预计将...
分类：业界动态 时间：2026/8/28 阅读：4213 关键词：SK海力士
SK 海力士美国考察建前端厂，2027 年存储器供需失衡预警
近期，SK 海力士作为全球领先的高带宽存储器供应商，正悄然展开一项重大战略布局 —— 耗时一个多月在美国考察前端存储晶圆制造厂的潜在选址。这一举措意味着该公司首次公...
分类：业界动态 时间：2026/8/17 阅读：3137 关键词：SK 海力士
英特尔CEO陈立武首度暗示重返存储市场，聘前SK海力士CEO李锡熙操盘HBM
英特尔 CEO 陈立武（Lip - Bu Tan）在 TechSurge 播客中公开暗示，英特尔正探索重返存储芯片市场，且将重点目标锁定在高带宽内存（HBM）领域。今年 6 月 18 日入职的前 SK ...
分类：名企新闻 时间：2026/8/14 阅读：6328 关键词：英特尔
SK海力士就“考虑出售重庆工厂”的市场传闻作出回应。公司发布公告称，正在研究多种方案以提升封装业务竞争力，但截至目前尚未确定任何具体事项。SK海力士表示，若未来相关...
分类：名企新闻 时间：2026/8/12 阅读：5988 关键词：SK海力士
SK 海力士遭遇了一系列市场传闻和猜测，这使得公司的股价和股东情绪都受到了一定程度的影响。SK 海力士首先否认了一则在市场上流传的关于其以低于市场价 50% 的价格向英伟...
分类：名企新闻 时间：2026/8/11 阅读：2452 关键词：SK海力士
路透社报道称，三星电子和 SK 海力士正在对中微半导体（AMEC）的芯片制造设备进行评估，并且计划在中国工厂使用这些设备。 据知情人士透露，大约在两年前，三星电子和 S...
拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...
新品速递 时间：2018/6/12 阅读：1009
时隔一年多，在大批锤粉和锤黑的密切关注下，锤子终于发布了坚果手机，虽然大家期待的T2没来，但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体，大家都陆续奉上了自己的感...
基础电子 时间：2015/9/1 阅读：2795
根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元（cell）技术所做的详细比较分析发现，虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限，...
基础电子 时间：2013/6/20 阅读：5463
惠普公司今天宣布，已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议，双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术，即使用电阻实现存储的ReRAM（Resistive Random Access Memory电阻式存储器）。 忆阻器技术的研究实际上已有数十...
其它 时间：2011/7/2 阅读：3135
安捷伦(Agilent)科技公司日前宣布：安捷伦与海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)携手推出一款高带宽、高性能的长线ZIF(零插入力)探针，该探针经过优化，适用于DDR(双数据速率)和GDDR(图形双数据速率)SDRA
新品速递 时间：2009/3/13 阅读：2363
恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。根据新协议，恒忆和海力士将扩...
新品速递 时间：2008/8/19 阅读：1766
根据富比世（Forbes）报导，韩厂海力士（Hynix）推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM，号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍，海力士并表示，将推出针对手机平台，结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装（MCP）
新品速递 时间：2007/12/4 阅读：1720
韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产，主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩
新品速递 时间：2007/11/19 阅读：1638
海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获
新品速递 时间：2007/11/15 阅读：1770
海力士半导体第一季度在DRAM市场取得惊人业绩，三星面临失去DRAM市场桂冠的危险。2007年一季度韩国海力士半导体DRAM销售额为22亿美元，比2006年第四季度增长4.1%。相比之下，第一季度总体DRAM市场销售额下降近10%，其它主要厂商的销
新品速递 时间：2007/8/7 阅读：1777
