总谐波失真 (THD) 是电源转换器设计中的一个关键指标。低 THD 转化为更高的功率因数 (PF)、更低的峰值电流和更高的效率。在本文中,我们将回顾德州仪器 (TI) 系统工...
设计应用 时间:2024/12/11 阅读:593
传统两级与单级转换 在传统的两级功率转换系统中,功率因数校正(PFC)和DC/DC转换是分开处理的,需要多个组件并导致更高的成本、更大的外形尺寸和更大的复杂性。 由...
设计应用 时间:2024/11/27 阅读:674
Qorvo E1B SiC模块:成就高效功率转换系统的秘密武器
在功率转换中,效率和功率密度至关重要。每一个造成能量损失的因素都会产生热量,并需要通过昂贵且耗能的冷却系统来去除。软开关技术与碳化硅(SiC)技术的结合为提升开关...
设计应用 时间:2024/6/13 阅读:864
高压硅二极管具有较低的正向传导压降,但由于其反向恢复行为,会在功率转换器中产生显着的动态损耗。SiC 二极管表现出可忽略不计的反向恢复行为,但确实表现出比硅更高的体...
设计应用 时间:2024/3/11 阅读:697
氮化镓 (GaN) 是一种 III-V 族宽带隙半导体,由于在用作横向高电子迁移率晶体管 (HEMT) 时具有卓越的材料和器件性能,因此在功率转换应用中得到越来越多的采用。 HEMT ...
设计应用 时间:2023/10/19 阅读:774
通过转向1700V SiC MOSFET,无需考虑功率转换中的权衡问题
高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得,也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的...
设计应用 时间:2022/12/16 阅读:407
意法半导体首款氮化镓功率转换器瞄准下一代50W高能效电源设计
VIPERGAN50是意法半导体VIPerPLUS系列首款可在宽工作电压(9 V至23 V)下提供高达50W功率的产品。这也是ST首款采用氮化镓(GaN)晶体管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件,VIPERGAN50在自适应间歇工作模式(burstmode) 开启的情况下,待机功...
设计应用 时间:2022/5/13 阅读:354
典型的两级离线 PFC PFC 离线功率转换器系统通常设计为两级级联型。第yi级为一个升压转换器,这是因为该拓扑结构拥有连续输入电流(通过使用乘法器可实现电流波形控制...
设计应用 时间:2022/3/10 阅读:463
在功率谱的中低端存在一些不太大的功率转换要求,这在物联网(IoT)设备之类的应用中很常见。这些应用需要使用能够处理适度电流水平的功率转换IC。电流通常在数百毫安范围,...
设计应用 时间:2021/3/19 阅读:1596
基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出现促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系统。更高的开关频率将减小元件尺寸,从而减小成本、系...
技术方案 时间:2019/1/5 阅读:629