功率转换技术资料-维库电子市场网

在功率转换中，效率和功率密度至关重要。每一个造成能量损失的因素都会产生热量，并需要通过昂贵且耗能的冷却系统来去除。软开关技术与碳化硅（SiC）技术的结合为提升开关...

设计应用时间：2024/6/13 阅读：783

高压硅二极管具有较低的正向传导压降，但由于其反向恢复行为，会在功率转换器中产生显着的动态损耗。SiC 二极管表现出可忽略不计的反向恢复行为，但确实表现出比硅更高的体...

设计应用时间：2024/3/11 阅读：590

氮化镓 (GaN) 是一种 III-V 族宽带隙半导体，由于在用作横向高电子迁移率晶体管 (HEMT) 时具有卓越的材料和器件性能，因此在功率转换应用中得到越来越多的采用。　　HEMT ...

设计应用时间：2023/10/19 阅读：537

高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的...

设计应用时间：2022/12/16 阅读：350

VIPERGAN50是意法半导体VIPerPLUS系列首款可在宽工作电压（9 V至23 V）下提供高达50W功率的产品。这也是ST首款采用氮化镓(GaN)晶体管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件，VIPERGAN50在自适应间歇工作模式(burstmode) 开启的情况下，待机功...

设计应用时间：2022/5/13 阅读：307

典型的两级离线 PFC PFC 离线功率转换器系统通常设计为两级级联型。第yi级为一个升压转换器，这是因为该拓扑结构拥有连续输入电流（通过使用乘法器可实现电流波形控制...

设计应用时间：2022/3/10 阅读：380

在功率谱的中低端存在一些不太大的功率转换要求，这在物联网(IoT)设备之类的应用中很常见。这些应用需要使用能够处理适度电流水平的功率转换IC。电流通常在数百毫安范围，...

设计应用时间：2021/3/19 阅读：1543

基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出现促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系统。更高的开关频率将减小元件尺寸，从而减小成本、系...

技术方案时间：2019/1/5 阅读：568

意法半导体推出MDmesh™系列600V超结晶体管，该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。　针对软开关技术优化的阈值电压使新型晶体管非常适用于节能应用中的LLC谐振转换器和升压PFC转换器。电容电压曲线有助...

新品速递时间：2018/12/19 阅读：493

可穿戴设备不再仅是在炫酷的科幻电影中才能看到的东西 (感谢《007》、《少数派报告》、《神探》这些电影！)，使用可穿戴设备也不再只是梦想，可穿戴设备已经蔚然成风。最初...

设计应用时间：2018/4/17 阅读：530

功率转换