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GaN晶体管

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和...

时间：2024/8/19 阅读：44 关键词：半导体

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 ...

分类：新品快报时间：2024/7/10 阅读：305 关键词：英飞凌

意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。 L6983i适合需要隔离式 DC-DC 转换器应用...

分类：新品快报时间：2023/5/16 阅读：480 关键词：降压转换器

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出面向多种应用的EPC2046功率晶体管，包括无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用、太阳能微型逆变器及具低电感的马达驱动器。EPC2046的额...

分类：新品快报时间：2017/6/7 阅读：502 关键词：GaN晶体管

氮化镓(GaN)是一种新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势，被称为第三代半导体材料，用于电源系统的设计如功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC、各种终端应用如电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等，可实现硅器...

分类：名企新闻时间：2016/4/29 阅读：604 关键词：半导体晶体管

松下半导体开发出了在25GHz毫米波频带中输出功率可达10.7W的GaN（氮化镓）晶体管。该产品在大口径晶圆获取便利、量产性较高的硅底板上制作而成。该公司称，作为在硅底板上制成的GaN晶体管，达到了“业界输出功率”。另外，该公司还确认到...

分类：新品快报时间：2010/7/30 阅读：1141 关键词：晶体管

据日经BP社报道，松下开发出了耐压高达1万400V、采用GaN类半导体的晶体管。这一数值相当于之前GaN类晶体管的值“1900V的5倍以上”。用途方面，设想用于配备在电车和产业用电力设备（电压高达几千V）中的马达驱动电路等。导通电阻仅为183m

分类：名企新闻时间：2007/12/21 阅读：428 关键词：晶体管

日前，设计与制造面向可推动移动通信的应用的高性能射频系统与解决方案的RFMicroDevices,Inc.(RFMD)宣布推出RF393X系列48V氮化镓(GaN)功率晶体管。RF393X产品系列可提供10W～120W的功率性能以及超宽的可调带宽，

分类：新品快报时间：2007/6/18 阅读：1248 关键词：晶体管

ST发布了市场也是的单封装集成600 V栅极驱动器和两个加强版氮化镓（GaN）晶体管的MASTERGAN1。同类竞品只提供一颗GaN晶体管，而ST决定增加一颗GaN，实现半桥配置，并允...

设计应用时间：2020/12/28 阅读：437

第三代半导体材料——氮化镓(GaN)，作为时下新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势。与硅器件相比，GaN在电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃，广泛应用于功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC等电源系统设计，以及电源适配器、光...

新品速递时间：2016/6/28 阅读：3031