英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2024-07-10 10:27:17 | 249 次阅读

  英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出新一代高压(HV)和中压(MV)CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓(GaN)的应用范围扩大到40 V至700 V电压,进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫,这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能,确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测,未来五年GaN器件市场的年复合增长率(CAGR)将达到46%。
  英飞凌科技电源与传感系统事业部总裁Adam White表示:“这两个系列的发布是建立在英飞凌去年收购GaN Systems的基础之上,它们将为我们的客户带来更高的效率和性能。英飞凌新一代高压和中压CoolGaNTM系列展示了我们的产品优势,并且完全采用8英寸工艺制造,证明了GaN在更大晶圆直径上的快速扩展能力。我们期待客户通过这些新一代GaN器件推出各种创新应用。”
  全新650 V G5系列适用于消费、数据中心、工业和太阳能领域的应用。该系列产品是英飞凌基于GIT的新一代高压产品。另一个采用8英寸工艺制造的全新系列是G3中压器件,覆盖了60 V、80 V、100 V和120 V的CoolGaNTM晶体管电压等级,以及40 V双向开关(BDS)器件。G3中压产品主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。
关键词:英飞凌

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