时间：2016/7/21 阅读：
JEDEC在1月为宽I/O移动DRAM发布的标准使用穿透硅通孔（TSV）在三维（3D）集成电路上连接DRAM和逻辑。凭借其512位宽的数据接口，在不增加功耗的前提下，JESD229宽I/O单倍数...
基础电子 时间：2012/6/1 阅读：190
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商及标准IC制造商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)推出两款新系列低功耗运算放大器。新产品精...
新品速递 时间：2011/12/20 阅读：3276
近来，随着嵌入式移动终端和移动通信设备上的应用日益丰富，运算能力和智能化程度的不断提高，如何让用户能在终端设备操作过程中更加简便、快捷和灵活地使用各种业务，已经成为嵌入式设备突破的关键。坚持以市场为导向，针对嵌入式设备的...
新品速递 时间：2011/9/4 阅读：2821
随着科学技术快速的发展，电接枝技术在各个当中应用。3D-IC设计者希望制作出高深宽比（HAR>10:1）硅通孔（TSV），从而设计出更小尺寸的通孔，以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间，最终改进信号的完整性。事实上，当前传统的TSV生产供...
技术方案 时间：2011/8/28 阅读：1898
ST推出电池供电设备用宽带CMOS输入运算放大器TSV911
ST推出两个新系列的轨对轨高带宽增益积(GBP)的运算放大器，新产品的速度电流比十分优异，采用节省空间的紧凑型封装，可满足传感器信号调节以及电池供电和紧凑型便携应用的需求。TSV911/2/4系列提供8MHz的增益带宽积，对于高达200pF的电容...
新品速递 时间：2007/8/2 阅读：2197
