新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）凭借其优异的性能，在各类电子设备中得到了广泛应用。然而，这些器件在长时间连续使用后，不可避免地会出现老化现象，进而导致...
设计应用 时间：2025/5/29 阅读：212
漏极过电压应力 在开关转换期间，功率转换器中可能会出现漏极过电压。有多种因素会影响这些过冲的严重程度，包括正在切换的电流的转换率 (dI/dt) 以及与封装和外部连接...
设计应用 时间：2024/10/31 阅读：289
电机驱动器运行的恶劣环境可能会因逆变器击穿和电机绕组绝缘击穿等故障情况而导致过流水平。功率器件需要在保护检测电路触发和关闭电机驱动所需的时间内承受这些事件。SC ...
设计应用 时间：2024/5/8 阅读：1039
无铅焊料通常是锡/银 (Sn/Ag) 焊料，或 Sn/Ag 焊料的变体。影响焊接工艺的主要区别是 Sn/Ag 焊料比 Sn/Pb 焊料具有更高的熔点。Sn/Ag 共晶 (96.5Sn/3.5Ag) 的熔点比 Sn/Pb ...
设计应用 时间：2023/9/27 阅读：594
使用 SiC 栅极驱动器可以减少 30% 的能量损耗，同时最大限度地延长系统正常运行时间。 Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔离式栅极驱动器，用于工业市场的高效...
技术方案 时间：2023/8/15 阅读：411
半导体在汽车中的使用持续增加。如图1所示，尽管由于疫情造成的全球供应链限制，过去几年新车销量总体下降，但同期汽车内半导体销售收入却有所上升。汽车中半导体价值的增...
设计应用 时间：2023/8/1 阅读：887
为了开发集成栅极驱动器，一组研究人员1在商用 650V GaN-on-Si 平台上实现了增强型 (E) 模式 GaN 功率开关和基于 GaN 的栅极驱动器的单片集成。这种集成消除了额外的处理步...
设计应用 时间：2023/7/14 阅读：1705
图 1 显示了电动汽车牵引逆变器的简化框图。该图中的红色方块代表栅极驱动器及其驱动的相关功率级。该应用中栅极驱动器的一些关键功能包括： 提供隔离。在 HV 侧，栅极驱动器可能会驱动参考 800V 直流总线电压的SiC器件。另一方面，由...
基础电子 时间：2023/6/30 阅读：936
Innoscience 和其他公司已经超越了标准的可靠性和生产测试来强调部件失效，推断出可以估计 1 ppm 故障率寿命的寿命曲线。动态导通电阻 (R DS(on) ) 作为 GaN 在开关应用中可能的故障模式而被广泛讨论，并且可以被视为材料缺陷的征兆。Inn...
设计应用 时间：2023/5/25 阅读：384
氮化镓的优越材料特性推动了其在功率器件应用中的使用。横向高电子迁移率晶体管 （HEMT） 器件已在广泛的电压等级（主要是 650 V 及以下）上实现商业化。与具有类似额定电压的硅和碳化硅器件相比，GaN HEMT的高开关频率能力和更小的器件...
设计应用 时间：2023/3/15 阅读：578
