半导体器件技术资料-维库电子市场网

自从宽带隙材料被引入各种制造技术以来，通过使用MOSFET、晶闸管和 SCR等功率半导体器件就可以实现高效率。为了优化可控制造技术，可以使用特定的导通电阻来控制系统中的大部分功率器件。对于功率 MOSFET，导通电阻仍然是优化和掺杂其单...

设计应用时间：2023/4/7 阅读：478

Yole Development 的市场调查表明，自硅功率半导体器件诞生以来，应用的需求一直推动着结温升高，目前已达到150℃。随着第三代宽禁带半导体器件（如SiC）出现以及日趋成熟和全面商业化普及，其独特的耐高温性能正在加速推动结温从目前...

基础电子时间：2021/1/20 阅读：349

电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情，比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者全失效会在硬件电路...

基础电子时间：2019/10/23 阅读：993

宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发...

基础电子时间：2017/11/27 阅读：973

刚刚过去的2015年，可以用惨淡二字来形容整个半导体市场，Gartner分析指出，受手机、电脑等主要电子产品需求疲弱、美元强势及库存升高等因素的影响，2015年全球半导体总营收预估为3，337亿美元，较2014年的3，403亿美元减少1.9%。而S

行业标准时间：2016/2/22 阅读：1828

半导体器件损坏的特点二、三极管的损坏一般是PN结击穿或开路，其中以击穿短路居多。此外还有两种损坏表现：一是热稳定性变差，表现为开机时正常，工作一段时间后，发生软击穿;另一种是PN结的特性变差。（更多半导体相关的产品信息，请点...

基础电子时间：2012/12/19 阅读：2204

太阳能逆变器是整个太阳能发电系统的关键组件。它把光伏单元可变的直流电压输出转换为清洁的50Hz或60Hz的正弦电压源，从而为商用电网或本地电网供电。因为太阳电池板的光电...

基础电子时间：2009/9/22 阅读：2011

GBT9424-1998半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第五篇CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列空白详细规范.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改，建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yin

基础电子时间：2009/5/6 阅读：4122

GBT17574.9-2006半导体器件集成电路第2-9部分数字集成电路紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改，建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuoch

基础电子时间：2009/5/6 阅读：2331

GBT17574.10-2003半导体器件集成电路第2-10部分数字集成电路集成电路动态读／写存储器空白详细规.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改，建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址：http://www.yinghuochong.

基础电子时间：2009/5/6 阅读：2128

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