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联电

联电资讯

当前大环境下,智能网联电动车该如何发展?

“不同国家的道路情况以及交通环境不一样,而中国的企业根据我国国情开发的智能网联的电动汽车,才是最实用的。”   在8月31日,由OFweek中国高科技行业门户、OFweek维科网、HTC高科会主办,OFweek新能源汽车网、OFweek汽车科技网承办...

分类:业界动态 时间:2018/9/4 阅读:0 关键词:联电动车 

晶圆代工厂联电近日召开股东临时会,通过子公司和舰芯片首次公开发行A股

晶圆代工厂联电近日召开股东临时会,通过子公司和舰芯片首次公开发行A股,申请在上海证交所上市案,预计发行新股不超过4亿股,总金额不超过人民币25亿元。早在6月29日,联...

分类:名企新闻 时间:2018/8/23 阅读:0 关键词:联电 晶圆代工厂 芯片 

携手大陆强攻DRAM,联电打的什么算盘?

联电是全球第 3 大晶圆代工厂,过去 1 年,做晶圆代工的联电,却跨界和专做 DRAM(动态随机存取内存)的美国美光公司打起全球诉讼。 去年,美光在台湾和美国控告联电侵害美光营业秘密,在台湾已遭起诉;今年初,联电在中国福州,控告美光...

分类:业界动态 时间:2018/8/20 阅读:0 关键词:联电 DRAM 

联电晋华和我比内存?美光不服被禁,提专利无效申请

美光发布声明称,中国2家子公司已收到福州中级人民法院针对联电与晋华提起的专利侵权案所发布的临时禁令。美光表示,对裁决结果感到失望,并坚信联电与晋华的专利无效,且...

分类:业界要闻 时间:2018/7/6 阅读:0 关键词:联电晋华 

八英寸晶圆代工供应明年缓解,中芯、联电挑战更严峻

欧系外资表示,8寸晶圆供不应求的状况预计在2019年纾解,二级晶圆代工厂明后年面临的挑战将更严峻,维持台积电「买进」评等,并重申联电、陆厂中芯「卖出」评等。   欧系外资出具研究报告表示,联电日前在股东会宣布计划调涨8寸晶圆价...

分类:行业趋势 时间:2018/6/19 阅读:0 关键词:联电 中芯 晶圆代工 

八英寸产能告急,联电将启动史上最大的涨价

联电 8寸晶圆代工产能供不应求,近期正式涨价,旗下对岸8寸厂和舰并将启动三年多来最大规模扩产,幅度达15%。业界透露,联电这次采「一次涨足」,涨幅达二成,涨幅前所未见,加上大动作扩充和舰产能,透露对后市看好。   联电昨(12)...

分类:业界动态 时间:2018/6/13 阅读:0 关键词:联电 八英寸 

IDM厂关闭自有旧晶圆厂并委外代工已是未来趋势

IDM厂关闭自有旧晶圆厂并委外代工已是未来趋势,根据市调机构IC Insights统计,自金融海啸发生后,在2009至2017年的过去9年当中,全球共有92座晶圆厂关闭或改变用途,预期...

分类:业界动态 时间:2018/3/5 阅读:67 关键词:台积电 联电 中芯国际 晶圆 

联电、华虹嵌入式存储器传捷报 切入东芝和智能卡供应链

晶圆代工大厂联电耕耘40纳米结合SST嵌入式SuperFlash非挥发性存储器的制程平台有成,可望获得日本东芝(Toshiba)采用于微处理器(MCU)产品线上;大陆8吋晶圆厂华虹半导体的第...

分类:业界动态 时间:2018/1/9 阅读:233 关键词:联电 华虹 存储器 东芝 

群联电子董事长潘健成:NAND Flash下半年供需紧

NAND Flash市场历经2017年火热行情之后,今(2018)年下半年起将可望持续畅旺,NAND Flash控制IC大厂董事长潘健成表示,今年上半年NAND Flash报价确实会进入盘整,但是下半年...

分类:业界动态 时间:2018/1/8 阅读:129 关键词:群联电子 NAND 

联电总经理:晋华DRAM绝不窃用他人营业秘密

据台湾媒体报道,美光大动作在美对联电及福建晋华可能窃取及使用营业秘密一事提出诉讼,总经理简山杰对此予以驳斥,强调联电早年就生产过DRAM,本身拥有不少DRAM专利,事隔...

分类:行业访谈 时间:2017/12/26 阅读:897 关键词:联电 DRAM 晶圆代工 美光 

联电技术

威鑫联各系列排针排母连接器供你选

深圳市威鑫联电子有限公司是一家集专业设计开发、生产、销售各种精密连接器和接插件的专业厂商。产品广泛应用于计算机主机板、液晶显示器、电讯卡、存储器、移动硬盘、读卡...

基础电子 时间:2012/11/7 阅读:3963

并联电容器种类介绍

并联电容器。原称移相电容器。主要用于补偿电力系统感性负荷的无功功率,以提高功率因数,改善电压质量,降低线路损耗.单相并联电容器主要由心子、外壳和出线结构等几部分组成。用金属箔(作为极板)与绝缘纸或塑料薄膜叠起来一起卷绕,...

基础电子 时间:2012/9/28 阅读:1471

高压并联电容器的过电压及避雷防护措施

电网中装设高压并联电容器以改善功率因数,维持运行电压,提高输变电设备输送容量和降低线路损耗。但如运行电压过高,会危及设备和安全运行。有多种因素引起稳态电压升高,...

基础电子 时间:2010/9/3 阅读:2834

联电成功为Xilinx试产65奈米制程FPGA芯片

联华电子(UMC)与美商赛灵思(Xilinx)共同宣布,联电为Xilinx生产之65奈米FPGA芯片已开始交货。此新产品与前一世代的FPGA芯片相较,在逻辑容量方面提高了65%,号称拥有业界最高的闸数,以及大约11亿颗晶体管。此芯片采用了三闸极氧化

新品速递 时间:2007/12/4 阅读:1254

突破工艺障碍,联电45纳米SRAM芯片出炉!

台湾地区的晶圆代工厂商联电已突破关键的45纳米工艺障碍,生产出了位单元尺寸小于0.25平方微米的SRAM芯片。为此,工程师应用了全部最先进的工艺设备,包括沉浸式光刻、超浅结、迁移率增强方法和低k电介质。联电计划明年试生产45纳米芯片...

新品速递 时间:2007/12/4 阅读:1211

无源滤波器与并联电容器的应用

1谐振谐波与并联电容器在低压电网中并存时,最怕的就是引发串联谐振与并联谐振。1.1串联谐振若谐波来自电源系统,则变压器的电抗和低压并联电容器的电容在一定的参数下配合,就能引发串联谐振,文献[1]有数字实例,一台Uk为6%的1000kVA变...

设计应用 时间:2007/9/26 阅读:2779

联电65nm芯片工艺采用SOI技术

除了IBM、AMD在芯片工艺上采用SOI(绝缘体上硅)技术之外,现在台湾第2大芯片代工厂商UMC联电也宣布在旗下的65nm芯片生产线上开始采用SOI技术。绝缘体上硅(SOI)是指在一绝缘衬底上再形成一层单晶硅薄膜,或者是单晶硅薄膜被一绝缘层(通常...

设计应用 时间:2007/9/21 阅读:1110

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