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DRAM

DRAM资讯

国内 DRAM 处在空白页,几大生产商把控变成难点

假如说芯片是中国科技界的痛,那麼运行内存则也是痛中之痛。你会不敢相信,移动u盘是我国创造发明的,但长期以来,移动u盘都并不是我国彻底独立生产制造的,由于芯片颗粒物是進口的,我国仅仅造个外壳封裝一下下。  因此一直以来,运行...

分类:业界动态 时间:2019/9/26 阅读:614 关键词:中国芯半导体

合肥长鑫DRAM内存芯片建成投产 总项目投资约1500亿元

合肥长鑫在合肥市举办的2019全球加工业交流会上,公布总项目投资约1500亿元的储存内存芯片独立生产制造新项目建成投产。合肥长鑫当场展现了8Gb?DDR4集成ic,选用19纳米技术加工工艺生产制造,和国际性流行DRAM加工工艺基础维持同歩,1期...

分类:名企新闻 时间:2019/9/23 阅读:722 关键词:DRAM内存芯片

DRAM、NAND Flash合约价涨声乍起,群联、南亚科等营运好转

受到美中贸易战及日韩纷争等消息面影响,记忆体现货价8月中以来上冲下洗、明显震荡。但合约价却传出好消息,8月标准型DRAM合约价确定止跌,利基型合约价小涨,第四季有机会反弹,NAND Flash合约价8月则持平至小涨,9月及10月有续涨空间。...

分类:维库行情 时间:2019/9/4 阅读:1480 关键词:DRAM关税

先进!美光开始量产1z纳米 DRAM

美光科技(Micron)宣布了DRAM扩充的进展,成为首家开始使用1z纳米制程技术量产16Gb DDR4产品的存储器公司。    美光科技技术开发执行副总裁Scott DeBoer表示,现今扩充DRAM条件变得更加复杂,开发和量产业界最小尺寸的DRAM节点展现...

分类:名企新闻 时间:2019/8/30 阅读:1039 关键词:DRAM美光

全球 DRAM 连续下跌 9%,闪存业第三季度有望增长

DRAMeXchange数据显示,第二季度全球DRAM存储器产业的产值连续下降9%,而NAND闪存业则持平。  DRAMeXchange表示,第二季度DRAM比特出货量连续增长,但芯片价格下跌拖累了该季度该行业的总产值。该行业第二季度的产值为148.4亿美元,比...

分类:业界动态 时间:2019/8/22 阅读:468 关键词:闪存

DRAM 价格走低成趋势,供大于求为原因之一

据DRAM Exchange最新报告称,DRAM市场正在降价、且趋势是会继续走低。  这份报告中指出,今年第二季度,DRAM价格下跌了近10% 。目前的状况是供大于求,这是内存市场将持续下跌的部分原因。对于供应商来说,这意味着它们的营收和利润率...

分类:行业趋势 时间:2019/8/20 阅读:1755

业内带宽最高的HBM2E DRAM发布,单颗容量16GB

SK海力士(SK hynix)宣布,已经成功研发出新一代DRAM内存“HBM2E”,可视为HBM2的增强版,拥有业界最高的传输带宽,相比现在的HBM2提升了大约50%,同时容量也翻了一番。S...

分类:新品快报 时间:2019/8/14 阅读:1877 关键词:DRAM

今年Q2 DRAM全球份额三星电子占45.7% 韩国超七成

芯片专业市场调查机构DRAMeXchange近日表示,今年第二季度全球DRAM市场销售额达148.44亿美元,比今年第一季度163.32亿美元减少9.1%。   三星半导体  其中DRAM市场排名第一第二的三星电子和SK海力士的销售额也同步减少,但二者在DRAM...

分类:业界动态 时间:2019/8/12 阅读:660 关键词: DRAM

内外交困,三星业绩大跌全靠DRAM救命

市调机构DRAMexchange指DRAM价格7月已经上涨了大约20%,NAND闪存涨幅超10%,这对于全球最大的存储芯片企业三星来说应该是一大利好消息,二季度因为存储芯片价格的下跌导...

分类:名企新闻 时间:2019/7/30 阅读:742 关键词:三星DRAM

三星宣布量产全球首款12Gb LPDDR5 DRAM

据三星官方消息,三星宣布量产全球首款12Gb LPDDR5 DRAM,该DRAM已针对未来智能手机中的5G和AI功能进行了优化。此外三星还计划本月末开始批量生产12GB的LPDDR5封装,每个封装都包含8个12Gb芯片,以满足高端智能手机制造商对更高智能手机...

分类:新品快报 时间:2019/7/19 阅读:910

DRAM技术

SDRAM的布线规则 基于Allegro嵌入式高速电路布线设计

随着嵌入式微处理器主频的不断提高,信号的传输处理速度越来越快,当系统时钟频率达到100MHZ以上,传统的电路设计方法和软件已无法满足高速电路设计的要求。在高速电路设计...

设计应用 时间:2019/4/15 阅读:507

高云半导体推出两款集成大容量DRAM的FPGA芯片

广东高云半导体科技股份有限公司(以下简称“高云半导体”)今日宣布,高云半导体小蜜蜂家族新增两款集成大容量DRAM的FPGA芯片,分别是GW1NR-LV4MG81 与 GW1NSR-LX2CQN48,其设计的初衷是实现低功率、小封装尺寸和低成本等特性。 ...

新品速递 时间:2019/1/19 阅读:400

利用CPLD技术和80C196XL时序特征实现DRAM控制器的设计

0C186XL16位嵌入式微处理器[1]是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一,已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内,集成有DRAMRCU单...

设计应用 时间:2019/1/8 阅读:608

高云半导体推出小尺寸集成大容量DRAM的FPGA

今日宣布,高云半导体小蜜蜂家族新增两款集成大容量DRAM的FPGA芯片,分别是GW1NR-LV4MG81 与 GW1NSR-LX2CQN48,其设计的初衷是实现低功率、小封装尺寸和低成本等特性。   随着边缘计算的兴起,相应芯片的市场需求亦随之扩大,在应用层...

新品速递 时间:2018/9/17 阅读:252

ARM开发步步深入之SDRAM编程示例

实验目的:改变“点灯大法”的执行地点,从NandFlash的Steppingstone转到SDRAM中执行,借此掌握存储控制器的使用。   实 验环境及说明:恒颐S3C2410开发板H2410。H2410...

设计应用 时间:2018/8/30 阅读:237

微控制单元器MCU、ARM及SDRAM简介

它是美国爱荷华州立大学的约翰·文森特·阿塔纳索夫(John Vincent Atanasoff)教授和他的研究生克利福特·贝瑞(Clifford Berry)在1937年设计的。   遗憾的是当时仅仅用于求解线性方程组,也没有申请专利,爱荷华州立大学也没有对其...

基础电子 时间:2018/8/3 阅读:297

为什么2440与SDRAM地址线错两位相连?

为什么2440与SDRAM地址线错两位相连?  网上说,错两位是为了32位对齐(地址为8位数据地址,2440位宽为32,错两位,一次跳4byte)。  下面是听南方大哥的教程时记录的:  由于两个内存合起来“数据位宽”是32位。32时,地址总线的...

设计应用 时间:2018/7/24 阅读:249

S3C2440 SDRAM寄存器初始化设置

板子是s3c2440,使用两片容量为32MB、位宽16bit的EM63A165TS-6G芯片拼成容量为64M、32bit的SDRAM存储器。根据2410datasheet,要使用SDRAM需配置13个寄存器,以下逐个来看:...

设计应用 时间:2018/7/23 阅读:264

ARM外设flash及SDRAM的地址连接

先提一下位宽的概念,对于具体器件而言,它的位宽是一定的,所谓位宽,指的是“读/写操作时,最小的数据单元”──别说最小单元是“位”,一般设备上没有单独的“位操作”,修改位时通过把整个字节、字或双字读出来、修改,再回写。AM29L...

设计应用 时间:2018/7/23 阅读:286

嵌入式系统中DRAM控制器的CPLD解决方案

80C186XL16位嵌入式微处理器是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一,已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内,集成有DRAM RCU单元...

技术方案 时间:2018/7/10 阅读:926

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