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DRAM

DRAM资讯

国产内存揭秘:源于奇梦达一千多万份DRAM内存技术资料

不论是NAND闪存还是DRAM内存,国内市场几乎都是100%依赖进口,去年进口的存储芯片价值超过1000亿美元,所以国内近年来集中力量发展存储芯片。  在国内布局的三大存储芯片基地中,紫光旗下的长江存储240亿美元的投资主要是NAND闪存,DRA...

分类:业界动态 时间:2019/5/16 阅读:91 关键词:DRAM内存 

西边不亮东边亮!富士康DRAM布局或转战山东

据芯谋研究首席分析师顾文军爆料,富士康在大陆的DRAM和西部地方政府的进展不顺利,可能要转战山东。  顾文军所说的“西部”,笔者分析认为应该是西安。集微网从业内人士处获悉,西安高新区的确有一块空地,台积电和富士康都对此感兴趣...

分类:业界动态 时间:2019/5/8 阅读:182 关键词:DRAM 富士康 

中小容量存储界的黑马,集齐NAND/DRAM/NOR召唤神兽

全球DRAM、NAND存储芯片基本由美日韩企业垄断,三星、SK海力士、美光、东芝等巨头顺势赚得盆满钵满。受制于资金和技术上的缺陷,我国本土的芯片制造企业仍然数量少、规模小...

分类:业界动态 时间:2019/4/12 阅读:136 关键词:存储 半导体 

流言再起!赵海军或赴紫光领导一家新的DRAM厂

本月月初,曾有媒体报道称,中芯国际CO-CEO赵海军已经提出辞呈,将于不久之后奔赴紫光集团。  次日,中芯国际发表声明指出,该消息不属实,任何中芯国际最高管理层人事变动,以公司发布的公告为准。  然而,该事件似乎并非空穴来风。...

分类:名企新闻 时间:2019/3/30 阅读:399 关键词:紫光 DRAM 

流言再起!赵海军或赴紫光领导一家新的DRAM厂

本月月初,曾有媒体报道称,中芯国际CO-CEO赵海军已经提出辞呈,将于不久之后奔赴紫光集团。  次日,中芯国际发表声明指出,该消息不属实,任何中芯国际最高管理层人事变动,以公司发布的公告为准。  然而,该事件似乎并非空穴来风。...

分类:名企新闻 时间:2019/3/30 阅读:294 关键词:紫光 DRAM 

IHS Markit显示,DRAM市场将在2019年大幅萎缩

据IHS Markit报道,最近对市场状况的担忧加上平均销售价格急剧下滑,将导致DRAM市场在2019年达到770亿美元,同比下降22%。此外,DRAM的价格下跌和需求疲软可能会持续到201...

分类:行业趋势 时间:2019/3/28 阅读:746 关键词:DRAM市场 

存量过高,DRAM跌势或延续到下半年

受库存过高影响,DRAM第一季合约价跌幅持续扩大,整体均价已下跌逾20%。然而价格加速下跌并未刺激需求回温,预计在库存尚未去化完成的影响下,DRAM均价跌势恐将持续至第三...

分类:行业趋势 时间:2019/3/27 阅读:1618 关键词:DRAM 

美光减产 DRAM跌幅将收敛

今年以来DRAM价格持续下跌,存储器大厂美光近日宣布将减产。南亚科总经理李培瑛昨(22)日参加台湾半导体产业协会会员大会表示,对整体产业当然是正面影响,不管短期效用有多大,也代表产业长期会理性竞争,这是最重要的意义。他预期,DR...

分类:名企新闻 时间:2019/3/26 阅读:328

三星宣布推出1Z纳米工艺DRAM

在动态随机存取内存(DRAM)工艺陆续进入1X及1Y工艺领域之后,全球 DRAM 龙头韩国三星21日宣布,首次业界开发第3代10 纳米等级(1Z 纳米工艺)8GB 高性能 DRAM。这也是三星...

分类:名企新闻 时间:2019/3/26 阅读:567 关键词:DRAM 三星 

三星电子第三代10纳米级DRAM开发成功

三星电子于21日发表,成功开发出第三代10纳米级(1z)8GbDDR4DRAM,预计下半年量产。    据《ZDNetKorea》报导,三星电子表示,在二代10纳米级(1y)DRAM量产后,相隔16个月成功开发出10纳米级(1z)DRAM,并成功克服史上细微工艺的...

分类:新品快报 时间:2019/3/25 阅读:554

DRAM技术

SDRAM的布线规则 基于Allegro嵌入式高速电路布线设计

随着嵌入式微处理器主频的不断提高,信号的传输处理速度越来越快,当系统时钟频率达到100MHZ以上,传统的电路设计方法和软件已无法满足高速电路设计的要求。在高速电路设计...

设计应用 时间:2019/4/15 阅读:195

高云半导体推出两款集成大容量DRAM的FPGA芯片

广东高云半导体科技股份有限公司(以下简称“高云半导体”)今日宣布,高云半导体小蜜蜂家族新增两款集成大容量DRAM的FPGA芯片,分别是GW1NR-LV4MG81 与 GW1NSR-LX2CQN48,其设计的初衷是实现低功率、小封装尺寸和低成本等特性。 ...

新品速递 时间:2019/1/19 阅读:332

利用CPLD技术和80C196XL时序特征实现DRAM控制器的设计

0C186XL16位嵌入式微处理器[1]是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一,已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内,集成有DRAMRCU单...

设计应用 时间:2019/1/8 阅读:334

高云半导体推出小尺寸集成大容量DRAM的FPGA

今日宣布,高云半导体小蜜蜂家族新增两款集成大容量DRAM的FPGA芯片,分别是GW1NR-LV4MG81 与 GW1NSR-LX2CQN48,其设计的初衷是实现低功率、小封装尺寸和低成本等特性。   随着边缘计算的兴起,相应芯片的市场需求亦随之扩大,在应用层...

新品速递 时间:2018/9/17 阅读:179

ARM开发步步深入之SDRAM编程示例

实验目的:改变“点灯大法”的执行地点,从NandFlash的Steppingstone转到SDRAM中执行,借此掌握存储控制器的使用。   实 验环境及说明:恒颐S3C2410开发板H2410。H2410...

设计应用 时间:2018/8/30 阅读:172

微控制单元器MCU、ARM及SDRAM简介

它是美国爱荷华州立大学的约翰·文森特·阿塔纳索夫(John Vincent Atanasoff)教授和他的研究生克利福特·贝瑞(Clifford Berry)在1937年设计的。   遗憾的是当时仅仅用于求解线性方程组,也没有申请专利,爱荷华州立大学也没有对其...

基础电子 时间:2018/8/3 阅读:233

为什么2440与SDRAM地址线错两位相连?

为什么2440与SDRAM地址线错两位相连?  网上说,错两位是为了32位对齐(地址为8位数据地址,2440位宽为32,错两位,一次跳4byte)。  下面是听南方大哥的教程时记录的:  由于两个内存合起来“数据位宽”是32位。32时,地址总线的...

设计应用 时间:2018/7/24 阅读:169

S3C2440 SDRAM寄存器初始化设置

板子是s3c2440,使用两片容量为32MB、位宽16bit的EM63A165TS-6G芯片拼成容量为64M、32bit的SDRAM存储器。根据2410datasheet,要使用SDRAM需配置13个寄存器,以下逐个来看:...

设计应用 时间:2018/7/23 阅读:190

ARM外设flash及SDRAM的地址连接

先提一下位宽的概念,对于具体器件而言,它的位宽是一定的,所谓位宽,指的是“读/写操作时,最小的数据单元”──别说最小单元是“位”,一般设备上没有单独的“位操作”,修改位时通过把整个字节、字或双字读出来、修改,再回写。AM29L...

设计应用 时间:2018/7/23 阅读:211

嵌入式系统中DRAM控制器的CPLD解决方案

80C186XL16位嵌入式微处理器是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一,已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内,集成有DRAM RCU单元...

技术方案 时间:2018/7/10 阅读:819

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