安森美半导体推进更快、更智能和更高能效的GaN晶体管

氮化镓(GaN)是一种新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势，被称为第三代半导体材料，用于电源系统的设计如功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC、各种终端应用如电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等，可实现硅器...

分类：名企新闻 时间：2016/4/29 阅读：579 关键词：半导体晶体管

松下开发出高输出功率GaN晶体管

松下半导体开发出了在25GHz毫米波频带中输出功率可达10.7W的GaN（氮化镓）晶体管。该产品在大口径晶圆获取便利、量产性较高的硅底板上制作而成。该公司称，作为在硅底板上制成的GaN晶体管，达到了“业界输出功率”。另外，该公司还确认到...

分类：新品快报 时间：2010/7/30 阅读：1120 关键词：晶体管

松下公布耐压高达1万伏以上的GaN晶体管技术

据日经BP社报道，松下开发出了耐压高达1万400V、采用GaN类半导体的晶体管。这一数值相当于之前GaN类晶体管的值“1900V的5倍以上”。用途方面，设想用于配备在电车和产业用电力设备（电压高达几千V）中的马达驱动电路等。导通电阻仅为183m

分类：名企新闻 时间：2007/12/21 阅读：388 关键词：晶体管

RFMD高功率GaN晶体管系列高峰值漏极效率超过65%

日前，设计与制造面向可推动移动通信的应用的高性能射频系统与解决方案的RFMicroDevices,Inc.(RFMD)宣布推出RF393X系列48V氮化镓(GaN)功率晶体管。RF393X产品系列可提供10W～120W的功率性能以及超宽的可调带宽，

分类：新品快报 时间：2007/6/18 阅读：1228 关键词：晶体管