您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

NAND

NAND资讯

市场不确定性因素增加,第三季NAND Flash价格回升无望

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出,随着中美贸易争端升温,2019年智能手机及服务器的需求量将低于原先预期。此外,上半年CPU缺货对笔记本电脑出货仍略有影响,因此,eMMC/UFS、SSD等产品第三季旺季出货量恐不如预期,合约...

分类:业界动态 时间:2019/6/25 阅读:66 关键词:Flash价格

分析机构:NAND Flash价格将继续下跌

根据集邦科技记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查指出,随着美中贸易争端升温,2019年智慧型手机及伺服器的需求量将低于原先预期,加上中央处理器(CPU)缺货问题,仍对笔记型电脑出货略有影响,导致eMMC/UFS、固态硬盘(SSD)等产品第三季旺季...

分类:维库行情 时间:2019/6/21 阅读:139 关键词: Flash价格

集邦咨询:第一季NAND Flash品牌商营收季减23.8%,第二季价格跌势难止

全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示,从2018年第四季开始,智能手机及服务器OEM便因需求疲弱而调节库存,今年第一季度还受到传统淡季影响,因此各项产品的位元出货量表现均呈现衰退,进而导致整体NAND Flash的合...

分类:业界动态 时间:2019/5/31 阅读:180 关键词:美光三星NAND Flash

专家:华为扫货,NAND将掀抢购潮

群联董事长潘健成昨(27)日表示,华为面对美方制裁,已开始在储存型快闪记忆体(NAND Flash)市场扫货,加上大陆近期严打通路商走私,近期查获逾130亿元的固态硬碟(SSD),有效打击低价乱源,看好NAND芯片将在一个月内反弹,掀起新一波...

分类:业界动态 时间:2019/5/28 阅读:173 关键词:NAND华为

Intel明年推128层NAND:QLC闪存大杀四方

今天的Intel亚太研发中心媒体会议上,Intel研究人员介绍的主要是数据中心领域的处理器、网卡、内存等产品,与客户端产品关系不大。不过在存储产品中,Intel单独介绍了他们在NAND闪存上的最新进展,这个系列以后就跟普通玩家有关了。  ...

分类:名企新闻 时间:2019/5/25 阅读:276 关键词:Intel闪存

DRAM内存年底重新涨价!NAND闪存已跌破成本

不论是全球半导体市场还是国内半导体市场,今年Q1季度都出现了下滑的趋势,根据SIA数据显示,2019年第一季度全球半导体市场同比下降了5.5%。根据中国半导体行业协会统计,2...

分类:维库行情 时间:2019/5/24 阅读:699 关键词:NAND闪存

1万亿日元 东芝、西数联手扩大96层NAND闪存生产

由于NAND闪存的价格已经连跌了6个季度,今年Q1季度几家NAND厂商的财报惨不忍睹,三星美光东芝等公司也决定削减NAND产能至少5%,目的是缓解市场上供过于求的局面。  就在NAND厂商削减产能的同时,他们也在不断扩大产能,因为过去存储芯...

分类:业界动态 时间:2019/5/21 阅读:182 关键词:NAND闪存

长江存储将发布Xtacking 2.0,或导入128层3D NAND,合肥长鑫亦进展顺利

在GSA会议上,长江存储宣布将在今年8月正式推出Xtacking 2.0技术,合肥长鑫DRAM亦进展顺利,长江存储和合肥长鑫分别在3D NAND和DRAM上寻求突破, 不仅能快速应对全球数据量增长对存储器的挑战,更体现了中国在存储领域的迅猛发展。  近...

分类:业界动态 时间:2019/5/16 阅读:220 关键词:长江存储集成电路

长江存储年底量产64层3D NAND产品,2020年扩产恐冲击NAND Flash价格

作为NAND Flash发展主力的长江存储今年底前将依照进程正式量产64层Xtacking 3D NAND产品。对此,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,随着长江存储2020年产能逐步...

分类:行业趋势 时间:2019/5/16 阅读:821 关键词:长江存储

英特尔:NAND闪存不再新建厂 傲腾转向中国生产

NAND闪存持续供过于求,价格不断走低,消费者们很高兴,厂商们很不爽,英特尔就在近日的投资者大会上披露,可预期的未来内也不会再建设新的闪存工厂。  最近几年,三星、美光、SK海力士、东芝都在兴建各自的新工厂,或者扩充现有工厂的...

分类:名企新闻 时间:2019/5/14 阅读:179 关键词:NAND闪存英特尔

NAND技术

基于NIOS II 软核的NAND FLASH的驱动方法

NAND FLASH被广泛应用于电子系统中作为数据存储。在各种高端电子系统中现场可编程门阵列(FPGA)已被广泛应用。FPGA灵活的硬件逻辑能实现对NAND FLASH的读写操作。本文中阐述...

设计应用 时间:2018/8/28 阅读:158

S3C2440 NAND Flash的使用

基本知识  NAND flash: 速度快,擦写5ms内;位翻转概率较大,为10%左右;容量大,块容量在8K以上,擦写次数较多;接口为IO接口  NOR flash: 速度慢,擦除5S时间;位翻转概率小于NAND flash;容量较小,块容量在64K以上,擦写次数没...

设计应用 时间:2018/7/24 阅读:177

关于S3C2440开发板Nand flash程序烧写和运行的一些理解

这两天刚开始学习ARM9的裸机编程和Linux系统移植,在烧写Nand flash内存的时候对一些指定的地址产生了疑惑。  我看过很多教学视频,他们在烧写程序到Nand flash的时候一般会指定一个地址0X3000_0000,而S3C2440的官方手册上指明了0X300...

基础电子 时间:2018/7/23 阅读:257

深入剖析SK海力士最新72层3D NAND

拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND,指该芯片具备市场上最高闸极堆栈的产品。   在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中,所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scal...

新品速递 时间:2018/6/12 阅读:344

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存储器分析

内存的正式名字叫做“存储器”,是半导体行业三大支柱之一。2016年全球半导体市场规模为3400亿美金,存储器就占了768亿美元。对于你身边的手机、平板、PC、笔记本等所有电子产品来说,存储器就类似于钢铁之于现代工业,是名副其实的电子...

基础电子 时间:2018/6/8 阅读:670

基于ClearNAND闪存的系统设计改进方案

自问世以来,NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题,但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的...

技术方案 时间:2017/6/27 阅读:878

DRAM与NAND差别这么大,存储之争都争啥

什么是DRAM?DRAM(DynamicRandomAccessMemory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一...

设计应用 时间:2017/3/18 阅读:6654

三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘

三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存,分别有24层、32层,并已用于850EVO、850Pro等多款固态硬盘产品,2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bitMLC256Gb3DV-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48

设计应用 时间:2016/7/13 阅读:2558

把大象关冰箱的步骤 --- NAND FLASH控制器磨损管理算法芯片化硬实现

把大象关冰箱的步骤---NANDFLASH控制器磨损管理算法芯片化硬实现目前,存储领域包括eMMC,SATASSD,PCIeSSD等控制器是一个非常热门的领域。通常,由于NANDFLASH易于损坏的特...

设计应用 时间:2016/1/26 阅读:1234

Spansion调整NAND产品规划,推工业级e.MMC

2012年,Spansion公司宣布其首个单层单元(SLC)系列NAND闪存产品开始出样,并同时公布了未来五年的技术规划图:包括将采用4xnm浮栅技术的1Gb到8GbSLCNAND解决方案,在2012...

新品速递 时间:2014/12/9 阅读:928

NAND产品