2025 年 Q3：NAND Flash 合约价将迎 5% - 10% 涨幅
TrendForce 集邦咨询最新调查显示，NAND Flash 市场在经历上半年的减产与库存去化后，供需失衡状况明显改善。展望第三季度，NAND Flash 及相关存储产品合约价呈现不同程度...
分类：维库行情 时间：2025/7/10 阅读：308
三星 2026 年将量产 400 + 层 V10 NAND 闪存
据相关报道，三星电子计划自 2026 年 3 月起建设 V10 NAND 生产线，并于 10 月启动正式量产。这也是三星电子首次明确披露 V10 NAND 的量产计划。此前曾有观测认为三星会在...
分类：业界动态 时间：2025/7/5 阅读：337 关键词：三星
4D NAND 助力，2031 年 SLC NAND 闪存市场规模或超 164 亿
据 The Insight Partners 报告显示，2024 年 SLC NAND 闪存市场规模达 112.9 亿美元，预计到 2031 年将攀升至 164 亿美元，2025 - 2031 年期间复合年增长率（CAGR）为 5.3%...
分类：行业趋势 时间：2025/7/4 阅读：1533 关键词：闪存
近日，铠侠通过路线图材料透露，即将推出的 332 层 NAND 芯片（属于第 10 代 BiCS FLASH）每个芯片将提供 2Tb 的容量。尽管与部分预期相比，这一容量看似并不惊人，但铠侠...
分类：名企新闻 时间：2025/6/24 阅读：358 关键词：铠侠 NAND
铠侠推出 PCIe 5.0 数据中心级固态硬盘 CD9P，基于 BiCS 8 TLC NAND 闪存
铠侠美国当地时间昨日宣布推出基于第八代 BiCS 3D TLC NAND 闪存的新一代 PCIe 5.0 数据中心级固态硬盘 CD9P，该系列产品专为 GPU 加速 AI 服务器对高吞吐、低延迟、高一致...
分类：新品快报 时间：2025/6/21 阅读：1860 关键词：铠侠
三星推进 NAND 工艺升级至 V9，V10 量产进度受技术阻碍放缓
据韩媒 sisajournal - e 当地时间 6 月 19 日报道，三星电子正积极推动现有较旧的 NAND 闪存生产设施向目前最先进的第九代 V - NAND（286 层）转换。 目前，三星电子正...
铠侠拟定五年产量翻倍计划，力挺 AI 数据中心 NAND 需求
铠侠控股在经营方针说明会上宣布了一系列重要计划，旨在满足 AI 数据中心对 NAND 闪存日益增长的需求。 铠侠控股表示，计划在未来五年内将产能（以存储容量计算）提升一...
分类：名企新闻 时间：2025/6/7 阅读：430 关键词：铠侠
2025Q1 NAND Flash 市场低迷，Q2 供应商营收有望上扬
TrendForce 集邦咨询的最新研究显示，2025 年第一季度，NAND Flash（闪存）供应商面临着严峻的市场挑战。终端客户需求的疲软以及严重的库存积压，共同导致了 NAND Flash 市...
分类：维库行情 时间：2025/5/30 阅读：2085
根据国际电子商情报道，韩国科技巨头三星电子即将退出多层单元（MLC）NAND闪存业务，已通知客户只接单到6月，并试图通过涨价令客户知难而退，“不要来下单”。随后有消息传...
2025 年 Q1 五大 NAND 厂商营收达 120 亿美元
根据 TrendForce 的研究，本季度 NAND Flash 供应商面临巨大挑战。库存压力和终端客户需求下滑，使得平均销售价格（ASP）季减 15%，出货量减少 7%。尽管季末部分产品价格回...
分类：业界动态 时间：2025/5/30 阅读：304 关键词：NAND
1. ONFI 是什么？ONFI（Open NAND Flash Interface，开放NAND闪存接口）是一个由英特尔、美光、海力士等厂商联合制定的标准化NAND闪存接口协议，旨在统一不同厂商的NAND闪存通信规范，解决早期NAND闪存兼容性问题。 2. 为什么需要ONFI...
基础电子 时间：2025/6/13 阅读：229
NAND Flash 和 SD NAND 存储扇区架构的对比
NAND Flash 与 SD 卡（SD NAND）作为两种广泛应用的存储介质，其存储扇区分配表在设计原理上存在诸多相似之处，但受制于不同的结构特性与应用场景，两者亦呈现出显著的差异。米客方德凭借深厚的技术积累与专业洞察，为您深度剖析 NAND Fl...
基础电子 时间：2025/5/13 阅读：276
EMMC（嵌入式多媒体卡）和NAND闪存是存储领域的两种重要技术，它们在结构、用途和性能上有显著区别。以下是详细对比： 2. 核心区别 (1) 集成度 NAND闪存： 仅是存储芯片，需要外接主控（如SSD的主控芯片）、FTL（闪存转换层...
基础电子 时间：2025/4/30 阅读：1637
NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型，用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。 NAND闪存： 结构： NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织，这种门结构使得NAND闪存在成本和密度方面具...
全部 时间：2024/3/15 阅读：512
介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”（通常为 -40°C 至 85°C）操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而，温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...
设计应用 时间：2023/10/27 阅读：645
串行 NAND 闪存器件是作为串行 NOR 闪存器件的低成本、高密度替代品而推出的。与 NOR 闪存设备相比，串行 NAND 闪存设备通常具有更高的密度，利用其更小的芯片面积和更低的每比特成本。串行 NAND 闪存设备使用串行外设接口 (SPI)，信号传...
基础电子 时间：2023/7/20 阅读：779
具有 AND/NAND、OR/NOR 和 XOR/XNOR 功能的输入光开关的通用光电逻辑元件
虑光电逻辑元件AND、OR、XOR，当施加输入控制信号时，其输出信号可以反转，从而将逻辑元件转换为NAND、NOR、XNOR。 在各种各样的逻辑芯片中，有一些已知的芯片，其电源可以通过将控制信号馈送到芯片的输入之一来打开或关闭。 下面...
设计应用 时间：2023/5/4 阅读：423
嵌入式系统设计人员在选择闪存时必须考虑很多因素：使用哪种类型的闪存架构，是选择串行接口还是并行接口，是否需要纠错码（ECC）等等。如果处理器或控制器只支持一种类型的接口，这会限制选项，因此内存可能很容易选择。然而，通常情况...
基础电子 时间：2023/3/13 阅读：579
SLC、MLC、TLC 和 QLC NAND SSD 之间的区别
如果你想要一个顶级系统，尤其是用于游戏或内容创作，那么 SSD 是绝对必要的。然而，在你去寻找之前，你应该知道要寻找什么。有多种不同类型的 SSD。就基本的 SSD 存储单元而言，有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中，TLC 是最受欢迎的，不过...
基础电子 时间：2022/8/18 阅读：816
基于NAND FLASH控制器的自启动方式实现SOC系统的设计
1、引 言 随着消费类电子产品包括PDA，MP3、智能手机等手持设备的市场需求逐步扩大，产品间的竞争也愈发激烈，降低产品的设计成本，提升产品的市场竞争力成为嵌入式系统...
设计应用 时间：2020/5/20 阅读：585
