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西数谈中国NAND竞争：仍有技术优势 2020年前中国厂商意义不大

在NAND闪存市场上，三星、东芝、西数、美光、SK Hynix及英特尔这六家公司占据了绝大多数份额，不过NAND闪存也是中国近年来发力追赶的重要领域，尤其是紫光旗下的长江存储，...

分类：业界动态时间：2018/9/12 阅读：0 关键词：NAND　西数公司　三星　美光　

西数谈中国NAND竞争：2020年前不会带来改变

在NAND闪存市场上，三星、东芝、西数、美光、SK Hynix及英特尔这六家公司占据了绝大多数份额，不过NAND闪存也是中国近年来发力追赶的重要领域，尤其是紫光旗下的长江存储，他们在武汉投资240亿美元建设中国最大的存储芯片基地，今年底量...

分类：行业趋势时间：2018/9/11 阅读：0 关键词：NAND竞争　

NAND内存降价，三星现代推迟建厂和扩厂计划

在过去的两年中，以三星为首的存储厂商因为存储芯片的涨价获得了非常多的利润。不过从目前内存价格来看，涨价势头已经终止，不少内存甚至有一些比较大的降价。据预测，今年...

分类：名企新闻时间：2018/9/10 阅读：0 关键词：NAND内存　三星　

SK海力士计划明年量产96层3D NAND闪存

SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略，来巩固其市场主导地位。　　SK海...

分类：名企新闻时间：2018/9/7 阅读：0 关键词：SK海力士　 3D NAND闪存　

东芝推出全球最小嵌入式NAND闪存产品，可用于各种广泛的数字消费产品

东芝公司宣布推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品，这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合最新的e.MMCTM标准，适用于各种广泛的数字消费产品...

分类：新品快报时间：2018/9/4 阅读：0 关键词：东芝　 nand闪存　嵌入式　 nand芯片　

NAND未来或将持续跌价！三星和美光将从技术和市场定价进行分析

近三年来NAND Flash市场行情波动较大，2018年市场价格在经历2年持续涨价后急转向下，且价格跌幅已超过40%，基本回到了2016年的价格水平。NAND Flash市场行情之所以大反转，其根源在于原厂工厂扩产，以及快速推进3D NAND技术发展所造成的...

分类：维库行情时间：2018/9/4 阅读：0 关键词：三星　美光　 NAND　

国内研法的32层3DNAND闪存芯片已经大规模生产？对于国产你期待吗？

紫光集团董事长赵伟国近日在出席首届中国国际智能产业博览会时透露，紫光旗下长江存储的1000人团队耗资10亿美元，历时2年研发成功了国内第一颗32层3DNAND闪存芯片，将在201...

分类：名企新闻时间：2018/8/27 阅读：0 关键词：紫光　 NAND　闪存芯片　

紫光集团：32层3D NAND闪存芯片将于四季度实现量产

记者获悉，8月23日，首届中国国际智能产业博览会重庆开幕。会上，紫光集团遴选出近百枚芯片，组成一面"紫光芯片大观"墙，涵盖从手机各类SoC到物联网芯片、FPGA等多个领域。其中32层3D NAND闪存芯片备受瞩目，这是紫光集团旗下长江存储耗...

分类：名企新闻时间：2018/8/24 阅读：0 关键词：NAND闪存芯片　

NAND供过于求？西数、美光等六大厂商Q2平均跌幅20%

DRAMeXchange最新报告指出，随着智能手机需求复苏、中国业者提升高容量产品的备货力道，2018年第二季NAND Flash市场虽位出货量得以支撑，但仍供过于求，平均价格跌幅达15-20%... 　　根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)最新报告...

分类：业界动态时间：2018/8/22 阅读：0 关键词：NAND　

NAND闪存价格上季跌了15-20%，还要再降10%

三星前不久发布了Galaxy Note 9智能手机，顶配版上了512GB容量，有外媒称这是全球最便宜的512GB容量智能手机，这大概是不知道国内已经有售价4999元的坚果R1 512GB手机了。...

分类：业界动态时间：2018/8/20 阅读：0 关键词：NAND闪存　

NAND技术

基于NIOS II 软核的NAND FLASH的驱动方法

NAND FLASH被广泛应用于电子系统中作为数据存储。在各种高端电子系统中现场可编程门阵列(FPGA)已被广泛应用。FPGA灵活的硬件逻辑能实现对NAND FLASH的读写操作。本文中阐述...

设计应用时间：2018/8/28 阅读：59

S3C2440 NAND Flash的使用

基本知识　　NAND flash：速度快，擦写5ms内；位翻转概率较大，为10%左右；容量大，块容量在8K以上，擦写次数较多；接口为IO接口　　NOR flash：速度慢，擦除5S时间；位翻转概率小于NAND flash；容量较小，块容量在64K以上，擦写次数没...

设计应用时间：2018/7/24 阅读：114

关于S3C2440开发板Nand flash程序烧写和运行的一些理解

这两天刚开始学习ARM9的裸机编程和Linux系统移植，在烧写Nand flash内存的时候对一些指定的地址产生了疑惑。　　我看过很多教学视频，他们在烧写程序到Nand flash的时候一般会指定一个地址0X3000_0000，而S3C2440的官方手册上指明了0X300...

基础电子时间：2018/7/23 阅读：161

深入剖析SK海力士最新72层3D NAND

拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上最高闸极堆栈的产品。　　在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scal...

新品速递时间：2018/6/12 阅读：239

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存储器分析

内存的正式名字叫做“存储器”，是半导体行业三大支柱之一。2016年全球半导体市场规模为3400亿美金，存储器就占了768亿美元。对于你身边的手机、平板、PC、笔记本等所有电子产品来说，存储器就类似于钢铁之于现代工业，是名副其实的电子...

基础电子时间：2018/6/8 阅读：327

存储器分类汇总

RAM：由字面意思就可以理解，S SRAM (下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM，random access memory(随机存取存储器)的缩写，下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别。　　SRAM：静态随机存储器，就是它不需要刷新电路，不像动...

基础电子时间：2017/8/7 阅读：393