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集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）调查指出，随着中美贸易争端升温，2019年智能手机及服务器的需求量将低于原先预期。此外，上半年CPU缺货对笔记本电脑出货仍略有影响，因此，eMMC/UFS、SSD等产品第三季旺季出货量恐不如预期，合约...

分类：业界动态时间：2019/6/25 阅读：66 关键词：Flash价格

分析机构：NAND Flash价格将继续下跌

根据集邦科技记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查指出，随着美中贸易争端升温，2019年智慧型手机及伺服器的需求量将低于原先预期，加上中央处理器(CPU)缺货问题，仍对笔记型电脑出货略有影响，导致eMMC/UFS、固态硬盘(SSD)等产品第三季旺季...

分类：维库行情时间：2019/6/21 阅读：139 关键词： Flash价格

集邦咨询：第一季NAND Flash品牌商营收季减23.8%，第二季价格跌势难止

全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，从2018年第四季开始，智能手机及服务器OEM便因需求疲弱而调节库存，今年第一季度还受到传统淡季影响，因此各项产品的位元出货量表现均呈现衰退，进而导致整体NAND Flash的合...

分类：业界动态时间：2019/5/31 阅读：180 关键词：美光三星 NAND Flash

专家：华为扫货，NAND将掀抢购潮

群联董事长潘健成昨（27）日表示，华为面对美方制裁，已开始在储存型快闪记忆体（NAND Flash）市场扫货，加上大陆近期严打通路商走私，近期查获逾130亿元的固态硬碟（SSD），有效打击低价乱源，看好NAND芯片将在一个月内反弹，掀起新一波...

分类：业界动态时间：2019/5/28 阅读：173 关键词：NAND 华为

Intel明年推128层NAND：QLC闪存大杀四方

今天的Intel亚太研发中心媒体会议上，Intel研究人员介绍的主要是数据中心领域的处理器、网卡、内存等产品，与客户端产品关系不大。不过在存储产品中，Intel单独介绍了他们在NAND闪存上的最新进展，这个系列以后就跟普通玩家有关了。　...

分类：名企新闻时间：2019/5/25 阅读：276 关键词：Intel 闪存

DRAM内存年底重新涨价！NAND闪存已跌破成本

不论是全球半导体市场还是国内半导体市场，今年Q1季度都出现了下滑的趋势，根据SIA数据显示，2019年第一季度全球半导体市场同比下降了5.5%。根据中国半导体行业协会统计，2...

分类：维库行情时间：2019/5/24 阅读：699 关键词：NAND闪存

1万亿日元东芝、西数联手扩大96层NAND闪存生产

由于NAND闪存的价格已经连跌了6个季度，今年Q1季度几家NAND厂商的财报惨不忍睹，三星美光东芝等公司也决定削减NAND产能至少5%，目的是缓解市场上供过于求的局面。　　就在NAND厂商削减产能的同时，他们也在不断扩大产能，因为过去存储芯...

分类：业界动态时间：2019/5/21 阅读：182 关键词：NAND闪存

长江存储将发布Xtacking 2.0，或导入128层3D NAND，合肥长鑫亦进展顺利

在GSA会议上，长江存储宣布将在今年8月正式推出Xtacking 2.0技术，合肥长鑫DRAM亦进展顺利，长江存储和合肥长鑫分别在3D NAND和DRAM上寻求突破，不仅能快速应对全球数据量增长对存储器的挑战，更体现了中国在存储领域的迅猛发展。　　近...

分类：业界动态时间：2019/5/16 阅读：220 关键词：长江存储集成电路

长江存储年底量产64层3D NAND产品，2020年扩产恐冲击NAND Flash价格

作为NAND Flash发展主力的长江存储今年底前将依照进程正式量产64层Xtacking 3D NAND产品。对此，集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，随着长江存储2020年产能逐步...

分类：行业趋势时间：2019/5/16 阅读：821 关键词：长江存储

英特尔：NAND闪存不再新建厂傲腾转向中国生产

NAND闪存持续供过于求，价格不断走低，消费者们很高兴，厂商们很不爽，英特尔就在近日的投资者大会上披露，可预期的未来内也不会再建设新的闪存工厂。　　最近几年，三星、美光、SK海力士、东芝都在兴建各自的新工厂，或者扩充现有工厂的...

分类：名企新闻时间：2019/5/14 阅读：179 关键词：NAND闪存英特尔

NAND技术

基于NIOS II 软核的NAND FLASH的驱动方法

NAND FLASH被广泛应用于电子系统中作为数据存储。在各种高端电子系统中现场可编程门阵列(FPGA)已被广泛应用。FPGA灵活的硬件逻辑能实现对NAND FLASH的读写操作。本文中阐述...

设计应用时间：2018/8/28 阅读：158

S3C2440 NAND Flash的使用

基本知识　　NAND flash：速度快，擦写5ms内；位翻转概率较大，为10%左右；容量大，块容量在8K以上，擦写次数较多；接口为IO接口　　NOR flash：速度慢，擦除5S时间；位翻转概率小于NAND flash；容量较小，块容量在64K以上，擦写次数没...

设计应用时间：2018/7/24 阅读：177

关于S3C2440开发板Nand flash程序烧写和运行的一些理解

这两天刚开始学习ARM9的裸机编程和Linux系统移植，在烧写Nand flash内存的时候对一些指定的地址产生了疑惑。　　我看过很多教学视频，他们在烧写程序到Nand flash的时候一般会指定一个地址0X3000_0000，而S3C2440的官方手册上指明了0X300...

基础电子时间：2018/7/23 阅读：257

深入剖析SK海力士最新72层3D NAND

拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上最高闸极堆栈的产品。　　在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scal...

新品速递时间：2018/6/12 阅读：344

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存储器分析

内存的正式名字叫做“存储器”，是半导体行业三大支柱之一。2016年全球半导体市场规模为3400亿美金，存储器就占了768亿美元。对于你身边的手机、平板、PC、笔记本等所有电子产品来说，存储器就类似于钢铁之于现代工业，是名副其实的电子...

基础电子时间：2018/6/8 阅读：670