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NAND

NAND资讯

HPE:10年后 存储级内存将取代NAND闪存

近日,HPE 3PAR存储单元副总裁兼总经理Ivan Iannaccone进行了一次大胆预测,在他看来,存储级内存(SCM)或将在10年内取代NAND闪存,成为企业首选的高速存储介质。    ...

分类:业界动态 时间:2019/2/13 阅读:100 关键词:NAND闪存 

预测:存储级内存将取代 NAND 闪存 !

存储级内存(SCM)克服了NAND闪存的局限性,因而势必会取而代之。   存储级内存(SCM)这种RAM能够像NAND闪存那样保保存其内容,但兼具DRAM的速度,最终...

分类:行业趋势 时间:2019/1/28 阅读:577 关键词:内存 NAND 闪存 

NAND闪存价格去年跌50%,今年还要再跌50%:64层依然是主流

市面上DRAM内存及NAND闪存两个存储芯片中,DRAM内存去年底开始跌价,而NAND闪存去年初就开始跌跌不止,这让西数、东芝等依赖NAND闪存的公司毛利率大幅下滑。去年NAND闪存价格大降的原因是供需失衡,厂商的64层3D闪存产能量产了,但是智能...

分类:维库行情 时间:2019/1/14 阅读:373 关键词:NAND闪存 

供需失衡态势难止,NAND Flash供应商2019年资本支出年减2%

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,2018年NAND Flash市场经历全年供过于求,且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色,预计产能过剩难解。在此情况下,供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程,避...

分类:业界动态 时间:2019/1/14 阅读:94 关键词:NAND Flash 

NAND Flash价格溜滑梯 2019年掀产业洗牌效应

从2017年供不应求的荣景,NAND Flash市况在2018年进入风云变色的调整期,生产业者持续扩大64层3D TLC NAND供货,新一代工艺技术及更大容量规格正伺机而出,供过于求与终端...

分类:维库行情 时间:2019/1/4 阅读:672 关键词:NAND Flash 

2019年上半年NAND Flash跌势难止 Q1续跌10%

TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)分析,2018年NAND Flash供货商3D 64层产品良率稳定,产出高于预期。然于年底旺季时中美贸易冲突升温、英特尔CPU缺货以及苹果新机出货量不如预期等因素迭加,导致旺季不旺。   展望2019年上半年,...

分类:维库行情 时间:2018/12/18 阅读:847 关键词:NAND Flash 

2019年上半年NAND Flash跌势难止,第一季续跌10%

2018年NAND Flash供应商3D 64层产品良率稳定,产出高于预期。不过由于年底全球经济形势依旧不容乐观、英特尔CPU缺货以及苹果新机出货量不如预期等因素叠加,导致旺季不旺。   展望2019年上半年,尽管原厂对扩充产能态度保守,甚至开始...

分类:行业趋势 时间:2018/12/18 阅读:485 关键词:NAND Flash 

Cypress赛普拉斯与海力士携手组建NAND闪存合资公司

全球领先的嵌入式解决方案供应商赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor Corp.)(纳斯达克代码:CY)日前宣布,与海力士半导体公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合资公司。协议约定在前五年中,合资公司将生产及销售赛普拉斯现...

分类:名企新闻 时间:2018/12/5 阅读:184 关键词:赛普拉斯 NAND闪存 

存储领域竞争加剧,3D NAND蚀刻逐步明朗化

3D NAND的出现也是因为2D NAND无法满足人们的需求。NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC几种类型之分,为了提高其容量、降低成本,NAND的制造工艺也在不断进步,厚度开始不断降低...

分类:业界动态 时间:2018/11/26 阅读:194 关键词:存储 NAND 

晋华事件透视:存储器垄断暴利之痛如何终结?

摘要:晋华被禁之殇折射垄断导致的暴利,是目前全球存储器行业面临的最大问题。终结行业垄断暴利的一个重要手段,就是积极扶持龙头企业推进存储器国产化进程。人才、资本等...

分类:业界动态 时间:2018/11/16 阅读:221 关键词:存储器 NAND 

NAND技术

基于NIOS II 软核的NAND FLASH的驱动方法

NAND FLASH被广泛应用于电子系统中作为数据存储。在各种高端电子系统中现场可编程门阵列(FPGA)已被广泛应用。FPGA灵活的硬件逻辑能实现对NAND FLASH的读写操作。本文中阐述...

设计应用 时间:2018/8/28 阅读:105

S3C2440 NAND Flash的使用

基本知识  NAND flash: 速度快,擦写5ms内;位翻转概率较大,为10%左右;容量大,块容量在8K以上,擦写次数较多;接口为IO接口  NOR flash: 速度慢,擦除5S时间;位翻转概率小于NAND flash;容量较小,块容量在64K以上,擦写次数没...

设计应用 时间:2018/7/24 阅读:145

关于S3C2440开发板Nand flash程序烧写和运行的一些理解

这两天刚开始学习ARM9的裸机编程和Linux系统移植,在烧写Nand flash内存的时候对一些指定的地址产生了疑惑。  我看过很多教学视频,他们在烧写程序到Nand flash的时候一般会指定一个地址0X3000_0000,而S3C2440的官方手册上指明了0X300...

基础电子 时间:2018/7/23 阅读:211

深入剖析SK海力士最新72层3D NAND

拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND,指该芯片具备市场上最高闸极堆栈的产品。   在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中,所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scal...

新品速递 时间:2018/6/12 阅读:283

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存储器分析

内存的正式名字叫做“存储器”,是半导体行业三大支柱之一。2016年全球半导体市场规模为3400亿美金,存储器就占了768亿美元。对于你身边的手机、平板、PC、笔记本等所有电子产品来说,存储器就类似于钢铁之于现代工业,是名副其实的电子...

基础电子 时间:2018/6/8 阅读:505

存储器分类汇总

RAM:由字面意思就可以理解,S SRAM (下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM,random access memory(随机存取存储器)的缩写,下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别。  SRAM:静态随机存储器,就是它不需要刷新电路,不像动...

基础电子 时间:2017/8/7 阅读:454

DRAM与NAND差别这么大,存储之争都争啥

什么是DRAM?DRAM(DynamicRandomAccessMemory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一...

设计应用 时间:2017/3/18 阅读:5930

三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘

三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存,分别有24层、32层,并已用于850EVO、850Pro等多款固态硬盘产品,2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bitMLC256Gb3DV-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48

设计应用 时间:2016/7/13 阅读:2270

把大象关冰箱的步骤 --- NAND FLASH控制器磨损管理算法芯片化硬实现

把大象关冰箱的步骤---NANDFLASH控制器磨损管理算法芯片化硬实现目前,存储领域包括eMMC,SATASSD,PCIeSSD等控制器是一个非常热门的领域。通常,由于NANDFLASH易于损坏的特...

设计应用 时间:2016/1/26 阅读:1188

SSD容量突破关键:3D存储芯片大揭秘

现在每一个闪存厂家都在向3DNAND技术发展,我们之前也报道过Intel3DNAND的一些信息。5月14日,Intel&Richmax举办了一场技术讲解会3DNandTechnicalWorkshop,Intel的技术人员在会议上具体揭示了

技术方案 时间:2015/5/21 阅读:1043

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