NAND-维库电子市场网

NAND

NAND资讯

HPE：10年后存储级内存将取代NAND闪存

近日，HPE 3PAR存储单元副总裁兼总经理Ivan Iannaccone进行了一次大胆预测，在他看来，存储级内存（SCM）或将在10年内取代NAND闪存，成为企业首选的高速存储介质。　　 ...

分类：业界动态时间：2019/2/13 阅读：100 关键词：NAND闪存　

预测：存储级内存将取代 NAND 闪存！

存储级内存（SCM）克服了NAND闪存的局限性，因而势必会取而代之。　　存储级内存（SCM）这种RAM能够像NAND闪存那样保保存其内容，但兼具DRAM的速度，最终...

分类：行业趋势时间：2019/1/28 阅读：577 关键词：内存　 NAND 闪存　

NAND闪存价格去年跌50%，今年还要再跌50%：64层依然是主流

市面上DRAM内存及NAND闪存两个存储芯片中，DRAM内存去年底开始跌价，而NAND闪存去年初就开始跌跌不止，这让西数、东芝等依赖NAND闪存的公司毛利率大幅下滑。去年NAND闪存价格大降的原因是供需失衡，厂商的64层3D闪存产能量产了，但是智能...

分类：维库行情时间：2019/1/14 阅读：373 关键词：NAND闪存　

供需失衡态势难止，NAND Flash供应商2019年资本支出年减2%

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避...

分类：业界动态时间：2019/1/14 阅读：94 关键词：NAND Flash　

NAND Flash价格溜滑梯 2019年掀产业洗牌效应

从2017年供不应求的荣景，NAND Flash市况在2018年进入风云变色的调整期，生产业者持续扩大64层3D TLC NAND供货，新一代工艺技术及更大容量规格正伺机而出，供过于求与终端...

分类：维库行情时间：2019/1/4 阅读：672 关键词：NAND Flash　

2019年上半年NAND Flash跌势难止 Q1续跌10%

TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)分析，2018年NAND Flash供货商3D 64层产品良率稳定，产出高于预期。然于年底旺季时中美贸易冲突升温、英特尔CPU缺货以及苹果新机出货量不如预期等因素迭加，导致旺季不旺。　　展望2019年上半年，...

分类：维库行情时间：2018/12/18 阅读：847 关键词：NAND Flash　

2019年上半年NAND Flash跌势难止，第一季续跌10%

2018年NAND Flash供应商3D 64层产品良率稳定，产出高于预期。不过由于年底全球经济形势依旧不容乐观、英特尔CPU缺货以及苹果新机出货量不如预期等因素叠加，导致旺季不旺。　　展望2019年上半年，尽管原厂对扩充产能态度保守，甚至开始...

分类：行业趋势时间：2018/12/18 阅读：485 关键词：NAND Flash　

Cypress赛普拉斯与海力士携手组建NAND闪存合资公司

全球领先的嵌入式解决方案供应商赛普拉斯半导体公司（Cypress Semiconductor Corp.）（纳斯达克代码：CY）日前宣布，与海力士半导体公司（SK hynix system ic, Inc.）成立合资公司。协议约定在前五年中，合资公司将生产及销售赛普拉斯现...

分类：名企新闻时间：2018/12/5 阅读：184 关键词：赛普拉斯　 NAND闪存　

存储领域竞争加剧，3D NAND蚀刻逐步明朗化

3D NAND的出现也是因为2D NAND无法满足人们的需求。NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC几种类型之分，为了提高其容量、降低成本，NAND的制造工艺也在不断进步，厚度开始不断降低...

分类：业界动态时间：2018/11/26 阅读：194 关键词：存储　 NAND　

晋华事件透视：存储器垄断暴利之痛如何终结？

摘要：晋华被禁之殇折射垄断导致的暴利，是目前全球存储器行业面临的最大问题。终结行业垄断暴利的一个重要手段，就是积极扶持龙头企业推进存储器国产化进程。人才、资本等...

分类：业界动态时间：2018/11/16 阅读：221 关键词：存储器　 NAND　

NAND技术

基于NIOS II 软核的NAND FLASH的驱动方法

NAND FLASH被广泛应用于电子系统中作为数据存储。在各种高端电子系统中现场可编程门阵列(FPGA)已被广泛应用。FPGA灵活的硬件逻辑能实现对NAND FLASH的读写操作。本文中阐述...

设计应用时间：2018/8/28 阅读：105

S3C2440 NAND Flash的使用

基本知识　　NAND flash：速度快，擦写5ms内；位翻转概率较大，为10%左右；容量大，块容量在8K以上，擦写次数较多；接口为IO接口　　NOR flash：速度慢，擦除5S时间；位翻转概率小于NAND flash；容量较小，块容量在64K以上，擦写次数没...

设计应用时间：2018/7/24 阅读：145

关于S3C2440开发板Nand flash程序烧写和运行的一些理解

这两天刚开始学习ARM9的裸机编程和Linux系统移植，在烧写Nand flash内存的时候对一些指定的地址产生了疑惑。　　我看过很多教学视频，他们在烧写程序到Nand flash的时候一般会指定一个地址0X3000_0000，而S3C2440的官方手册上指明了0X300...

基础电子时间：2018/7/23 阅读：211

深入剖析SK海力士最新72层3D NAND

拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上最高闸极堆栈的产品。　　在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scal...

新品速递时间：2018/6/12 阅读：283

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存储器分析

内存的正式名字叫做“存储器”，是半导体行业三大支柱之一。2016年全球半导体市场规模为3400亿美金，存储器就占了768亿美元。对于你身边的手机、平板、PC、笔记本等所有电子产品来说，存储器就类似于钢铁之于现代工业，是名副其实的电子...

基础电子时间：2018/6/8 阅读：505

存储器分类汇总

RAM：由字面意思就可以理解，S SRAM (下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM，random access memory(随机存取存储器)的缩写，下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别。　　SRAM：静态随机存储器，就是它不需要刷新电路，不像动...

基础电子时间：2017/8/7 阅读：454