存储行业迎来新动态，铠侠宣布开始出样 UFS 4.1 嵌入式闪存设备，同时回顾此前 SK 海力士在该领域的进展，以及 UFS 4.1 存储新标准的相关情况。 铠侠 UFS 4.1 闪存设备...
分类：新品快报 时间：2025/7/10 阅读：2373
三星 2026 年将量产 400 + 层 V10 NAND 闪存
据相关报道，三星电子计划自 2026 年 3 月起建设 V10 NAND 生产线，并于 10 月启动正式量产。这也是三星电子首次明确披露 V10 NAND 的量产计划。此前曾有观测认为三星会在...
分类：业界动态 时间：2025/7/5 阅读：341 关键词：三星
4D NAND 助力，2031 年 SLC NAND 闪存市场规模或超 164 亿
据 The Insight Partners 报告显示，2024 年 SLC NAND 闪存市场规模达 112.9 亿美元，预计到 2031 年将攀升至 164 亿美元，2025 - 2031 年期间复合年增长率（CAGR）为 5.3%...
分类：行业趋势 时间：2025/7/4 阅读：1591 关键词：闪存
华为发布新一代OceanStor Dorado 3000融合全闪存
华为举办商业市场极简全闪数据中心Pro+暨明星产品发布会，正式发布新一代OceanStor Dorado 3000融合全闪存存储，打造商业市场存储新标杆，全面满足并大大加快商业市场客户...
分类：新品快报 时间：2025/7/1 阅读：1963 关键词：华为
铠侠推出 PCIe 5.0 数据中心级固态硬盘 CD9P，基于 BiCS 8 TLC NAND 闪存
铠侠美国当地时间昨日宣布推出基于第八代 BiCS 3D TLC NAND 闪存的新一代 PCIe 5.0 数据中心级固态硬盘 CD9P，该系列产品专为 GPU 加速 AI 服务器对高吞吐、低延迟、高一致...
分类：新品快报 时间：2025/6/21 阅读：1865 关键词：铠侠
Infineon-英飞凌SEMPERNOR闪存系列获得ASIL-D功能安全认证
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布其业界领先的SEMPERNOR闪存经SGS-TüV认证，达到最高功能安全认证级别ASIL-D。这家权威认证机构的外部专家在根据ISO 26262:2018标准对产...
时间：2025/6/13 阅读：70 关键词：Infineon
英飞凌SEMPER NOR闪存系列获得ASIL-D功能安全认证
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布其业界领先的SEMPER NOR闪存经SGS-TüV认证，达到最高功能安全认证级别ASIL-D。这家权威认证机构的外部专家在...
分类：新品快报 时间：2025/6/10 阅读：2030 关键词：英飞凌
TrendForce 预测：2025 年三季度 NAND 闪存价格或环比涨 10%
市场分析机构 TrendForce 集邦咨询发布预测，在人工智能（AI）需求刺激企业级固态硬盘需求显著增长的背景下，2025 年第三季度 NAND 闪存价格有望环比增长 10%。 从整体...
分类：行业趋势 时间：2025/5/27 阅读：2000 关键词：NAND 闪存
三星电子计划停产 MLC NAND 闪存，6 月迎最后订单潮
据韩国 TheElec 报道，当地时间 5 月 26 日，三星电子向客户透露，其 MLC NAND 闪存即将停产，并计划于下个月接受最后的 MLC 芯片订单。 在通报最后 MLC NAND 排产计划...
分类：业界动态 时间：2025/5/27 阅读：324 关键词：三星电子
SK 海力士突破：321 层 NAND 闪存 UFS 4.1 方案问世
根据媒体报道，SK 海力士于 5 月 22 日宣布了一项重大技术突破 —— 成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端...
分类：名企新闻 时间：2025/5/22 阅读：237 关键词：SK 海力士
1. ONFI 是什么？ONFI（Open NAND Flash Interface，开放NAND闪存接口）是一个由英特尔、美光、海力士等厂商联合制定的标准化NAND闪存接口协议，旨在统一不同厂商的NAND闪存通信规范，解决早期NAND闪存兼容性问题。 2. 为什么需要ONFI...
基础电子 时间：2025/6/13 阅读：229
闪存（Flash Memory）和固态硬盘（SSD）都是基于半导体存储的技术，但它们在设计、性能和用途上有显著区别。以下是两者的主要差异： 1. 基本定义闪存（Flash Memory）一种非易失性存储芯片（断电后数据不丢失），通过浮栅晶体管存储电...
基础电子 时间：2025/6/13 阅读：313
EMMC（嵌入式多媒体卡）和NAND闪存是存储领域的两种重要技术，它们在结构、用途和性能上有显著区别。以下是详细对比： 2. 核心区别 (1) 集成度 NAND闪存： 仅是存储芯片，需要外接主控（如SSD的主控芯片）、FTL（闪存转换层...
基础电子 时间：2025/4/30 阅读：1633
NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型，用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。 NAND闪存： 结构： NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织，这种门结构使得NAND闪存在成本和密度方面具...
全部 时间：2024/3/15 阅读：512
SEMPER NOR Flash闪存解决方案中心针对安全关键型应用简化设计并缩短上市时间
英飞凌科技股份公司发布了针对屡获殊荣的SEMPERNOR Flash系列产品的全新开发工具 —— SEMPER解决方案中心。作为集成了所有应用模块的一站式网站，SEMPER解决方案中心涵盖...
新品速递 时间：2024/2/27 阅读：1010
TI - OptiFlash 存储器技术如何利用外部闪存应对软件定义系统中的挑战
在写字楼、工厂车间和汽车中，软件正逐步取代机械部件和固定电路。例如，使用智能锁取代机械锁后，用户可以通过手机应用程序对智能锁进行控制，同时制造商可通过软件更新、改进或校正智能锁的功能。在这种趋势下，人们对存储器的要求不断...
基础电子 时间：2024/1/11 阅读：319
这种新功能和先进功能的结合正在对传统汽车 E/E 架构的能力造成压力（见图1）。为了满足这一需求，原始设备制造商正在通过采用域/区域架构方法将更多功能整合到更少的系统...
设计应用 时间：2023/12/6 阅读：559
介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”（通常为 -40°C 至 85°C）操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而，温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...
设计应用 时间：2023/10/27 阅读：645
本应用笔记介绍了如何使用 RCAN-ET（瑞萨控制器局域网络-ET）在用户编程模式下对闪存进行重新编程。该文档介绍了一些概述和功能，以及示例程序的操作、功能和操作。 本...
设计应用 时间：2023/8/31 阅读：509
串行 NAND 闪存器件是作为串行 NOR 闪存器件的低成本、高密度替代品而推出的。与 NOR 闪存设备相比，串行 NAND 闪存设备通常具有更高的密度，利用其更小的芯片面积和更低的每比特成本。串行 NAND 闪存设备使用串行外设接口 (SPI)，信号传...
基础电子 时间：2023/7/20 阅读：779
