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闪存

闪存资讯

西数发布UFS 3.0闪存EU511:速度飙至750MB/s

根据外媒报道,西部数据近日推出了新一代UFS 3.0闪存EU511,读取速度达到750MB/s,最大容量512GB。  据介绍,新推出的iNAND MC EU511基于西部数据的96层3D NAND,支持通用闪存(UFS)3.0 Gear 4/2 Lane规格,顺序写入速度高达750MB/s...

分类:新品快报 时间:2019/3/2 阅读:91

美光MWC新产品亮相 推全球首款1TB闪存卡

美国存储器领导厂美光25日在世界移动大会(MWC)发表全球首款超大容量microSD闪存卡——Micron c200系列 1TB microSDXC UHS-I。该产品为高性能的可抽取式储存解决方案,提...

分类:名企新闻 时间:2019/2/27 阅读:488 关键词:闪存 美光 

西数发布UFS 3.0闪存EU511:96层3D闪存,750MB/s速度

今年的智能手机除了会升级处理器之外,存储芯片也会升级到最新标准,移动内存LPDDR5标准才被JEDEC组织正式公布,闪存也会从UFS 2.0/2.1提升到UFS 3.0,读写速度堪比SSD硬盘...

分类:新品快报 时间:2019/2/23 阅读:238 关键词:3D闪存 

低功耗SSD控制器:X1支持可靠的3D闪存

新型X1 SATA NAND闪存控制器为工业固态硬盘(SSD),M.2,U.2,CFast和嵌入式闪存固态硬盘(eSSD)提供最低功耗和安全性。   今天Hyperstone宣布推出型号为X1的新型SATA...

分类:新品快报 时间:2019/2/15 阅读:550 关键词:3D闪存 SSD控制器 

HPE:10年后 存储级内存将取代NAND闪存

近日,HPE 3PAR存储单元副总裁兼总经理Ivan Iannaccone进行了一次大胆预测,在他看来,存储级内存(SCM)或将在10年内取代NAND闪存,成为企业首选的高速存储介质。    ...

分类:业界动态 时间:2019/2/13 阅读:115 关键词:NAND闪存 

预测:存储级内存将取代 NAND 闪存 !

存储级内存(SCM)克服了NAND闪存的局限性,因而势必会取而代之。   存储级内存(SCM)这种RAM能够像NAND闪存那样保保存其内容,但兼具DRAM的速度,最终...

分类:行业趋势 时间:2019/1/28 阅读:727 关键词:内存 NAND 闪存 

内存、闪存价格双双下跌,SK Hynix好日子也终结了

半导体芯片占了韩国出口额的五分之一,是韩国的核心科技之一,这主要是因为三星、SK Hynix两家公司,这两家的DRAM内存份额就占到了全球的70%以上,所以在过去两年的存储芯片涨价中,三星及SK Hynix也是获益最多的,财报不断创造盈利记录...

分类:维库行情 时间:2019/1/25 阅读:483 关键词:SK Hynix 闪存 

东芝发布UFS 3.0闪存,96层TLC,速度要追NVMe硬盘

今年的智能手机除了5G、AI这两个大热点之外,在性能上还会再进一步,内存会升级到LPDDR5标准,闪存也会有UFS 3.0新一代标准,该规范去年初就制定完成了,此前爆料称三星的G...

分类:新品快报 时间:2019/1/25 阅读:461 关键词:东芝 闪存 

东芝发布UFS 3.0闪存芯片 2.9GB/s读写速度比肩SSD

如今UFS 2.1闪存已经成为旗舰机的标配,不过考虑到人们对速度的极致追求,这一标准显然不够。近日东芝正式宣布,全新的UFS 3.0标准闪存已经试产成功,未来东芝将推出128GB...

分类:新品快报 时间:2019/1/24 阅读:474 关键词:东芝 闪存芯片 

东芝推出采用96层3D闪存的1TB PCIe Gen3 x4 SSD

作为内存解决方案的全球领导者之一的东芝内存公司近日宣布推出BG4系列,这是一款新的单封装NVMe SSD产品系列,容量高达1024 GB,可同时提供创新的96层3D闪存和全新的控制器...

分类:新品快报 时间:2019/1/21 阅读:457 关键词:东芝  闪存 

闪存技术

西部数据公司推出新款UFS 3.0 嵌入式闪存盘助力实现5G移动性

西部数据公司发布新款嵌入式闪存盘,旨在从速度和容量方面更好地优化超高端智能手机及移动设备的功能,丰富5G时代环境下智能手机用户的移动体验。iNAND MC EU511采用公司先进的96层3D NAND技术,支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规范。性能优越...

新品速递 时间:2019/2/25 阅读:151

Hyperstone推出低功耗SSD控制器:X1支持可靠的3D闪存

Hyperstone宣布推出型号为X1的新型SATA III SSD控制器。X1的设计完全满足工业领域需求,目标产品应用包括高可靠性的SSD, M.2及U.2模组,CFast卡和eSSD的系统封装盘以及板载...

新品速递 时间:2019/2/19 阅读:154

手机闪存的技术解析

一部手机由许多零部件组成,除了处理器、运行内存、图形处理器等核心硬件会影响手机的性能之外,闪传也是一个影响性能和手机读取速度的重要指标。在手机兴起的这几年中,手机的闪传规格有了很大的提高,从eMMC规格的标准逐渐从eMMC 4.3时...

设计应用 时间:2017/12/19 阅读:277

如何选择最佳汽车应用闪存

在过去几年里,汽车应用对 NOR 闪存的需求不断增加。NOR 闪存最初应用在信息娱乐和引擎控制等方面。然而,随着汽车电脑化进程的步伐不断加快,NOR 闪存在汽车领域中的应用...

设计应用 时间:2017/10/16 阅读:544

基于ClearNAND闪存的系统设计改进方案

自问世以来,NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题,但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的...

技术方案 时间:2017/6/27 阅读:830

东芝推出集成64层3D闪存的NVMeTM SSD

采用薄型单面规格、容量高达1024GB[1]的XG5系列客户级SSD 东京—东芝存储公司(以下简称为东芝)今日宣布推出XG5系列,这是一款集成64层3D闪存,采用单面规格设计,用户容...

新品速递 时间:2017/6/20 阅读:934

关于嵌入式闪存的一些错误观念

多年来,汽车行业的发展和创新一直推动着半导体行业的发展。根据IHS的数据可知,汽车半导体市场的年收入已经超过300亿美元,而随着ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的...

设计应用 时间:2017/5/4 阅读:636

Flash存储器闪存工作原理及具体步骤

什么是闪存?了解闪存最好的方式就是从它的“出生”它的“组成”均研究的透彻底底的。闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用...

基础电子 时间:2016/11/4 阅读:1807

三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘

三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存,分别有24层、32层,并已用于850EVO、850Pro等多款固态硬盘产品,2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bitMLC256Gb3DV-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48

设计应用 时间:2016/7/13 阅读:2311

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