NXP恩智浦携手台积电推出行业首创汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM
·2023年5月16日 ·恩智浦和台积电联合开发采用台积电16纳米FinFET技术的嵌入式MRAM IP ·借助MRAM,汽车厂商可以更高效地推出新功能,加速OTA升级,消除量产瓶颈 ·恩智浦计划于2025年初推出采用该技术的新一代S32区域处理器和...
时间:2024/1/22 阅读:50 关键词:电子
恩智浦携手台积电推出行业首创汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM
全球领先汽车处理企业恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.(纳斯达克代码:NXPI)今日宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM(磁随机存储器)。在向软件定义汽车(SDV)的过渡中,汽车厂商需要在单个硬件...
时间:2023/6/19 阅读:138 关键词:嵌入式MRAM
NXP - 恩智浦携手台积电推出行业首创汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM
全球领先汽车处理企业恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.(纳斯达克代码:NXPI)今日宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM(磁随机存储器)。在向软件定义汽车(SDV)的过渡中,汽车厂商需要在单个硬件...
时间:2023/6/19 阅读:149 关键词:电子
全球两大半导体巨擘——英特尔(Intel)、三星(Samsung)在上周举办的第64届国际电子组件会议(IEDM)上,发表嵌入式MRAM在逻辑芯片制造工艺的新技术。 英特尔介绍整合于其22FFL工艺的自旋转移力矩(STT)-MRAM非挥发内存之关键特性,并指...
全球两大半导体公司上周在第64届国际电子器件会议(IEDM)上展示了嵌入式MRAM在逻辑芯片制造工艺中的新技术。 英特尔在其22FFL工艺中描述了基于自旋转移力矩(STT)-M...
分类:业界动态 时间:2018/12/13 阅读:453 关键词:嵌入式
上周,在第64届国际电子器件会议 (IEDM) 上,全球两大半导体巨头展示了嵌入式 MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。 首先,我们来了解一下 MRAM (Magnetic Random Access Memory),它是一种非易失性的磁性随机存储器。拥有静态随机存...