长光辰芯发布1600万像素分辨率全局快门CMOS图像传感器 — GMAX4416。该产品不仅继承了GMAX系列产品的低噪声、优异的PLS等特性，同时增加了片上binning、HDR等新的功能，进...
分类：新品快报 时间：2024/9/13 阅读：263 关键词：图像传感器
1.1x1mm 和 1.4×1.2mm DFN 封装的小信号 MOSFET
Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3（SOT8015）和 DFN1412-6（SOT1268）封装中，并配备侧面可润湿侧面，可用于自动光学检查。 该公司表示：“1.1 x ...
分类：新品快报 时间：2024/9/11 阅读：295 关键词：MOSFET
英飞凌已推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。 英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管 它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分，其资质不如其工业级 Optimos ...
分类：新品快报 时间：2024/9/11 阅读：261 关键词：英飞凌
ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET， 非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前，3种...
时间：2024/9/9 阅读：19 关键词：半导体
Nexperia最新扩充的NextPower 80/100V MOSFET产品组合可提供更高的设计灵活性
Nexperia今日宣布，公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合，并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，可在服务器、电源、快速...
时间：2024/9/9 阅读：17 关键词：Nexperia
Rohm -罗姆第4代SiC MOSFET大量应用于吉利旗下品牌“极氪”3款车型
日前，搭载了罗姆（总部位于日本京都市）第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团（以下简称“吉利”）的电动汽车（以下称“EV”）品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起，这...
时间：2024/9/5 阅读：25 关键词：半导体
运算放大器GM45012 GM45012 是双路的轨到轨输入和输出，单电源供电的运算放大器。它具有非常低的失调电压，低输入电压（2.7V-5.5V）和电流噪声，以及宽信号带宽。 GM...
分类：新品快报 时间：2024/9/3 阅读：228 关键词：运算放大器
常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，有助于车载应用的高效运行和小型化。 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFE...
时间：2024/8/23 阅读：32 关键词：Rohm
Infineon - 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用...
时间：2024/8/21 阅读：52 关键词：温度传感器
Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器
Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC...
时间：2024/8/21 阅读：36 关键词：IGBT
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应用碳化硅MOSFET器件替...
基础电子 时间：2024/8/27 阅读：361
我们讨论的模型描绘了一个理想的 MOSFET，并且由于早期 MOS 晶体管的沟道尺寸较长，因此对于早期 MOS 晶体管来说相当准确。然而，后续研究和晶体管的持续小型化都揭示了晶...
设计应用 时间：2024/8/13 阅读：675
氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧...
设计应用 时间：2024/8/6 阅读：157
1.用指针式万用表检测 判别内无保护二极管的VMOS场效应管的引脚极性，可按照以下两步进行。 （1）判定栅极G。将万用表置于R×1k挡，分别测量三个电极之间的电阻，如...
设计应用 时间：2024/6/19 阅读：165
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率...
设计应用 时间：2024/6/14 阅读：366
使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描...
设计应用 时间：2024/6/11 阅读：733
在本文中，我们将使用 PTM 网站上的 CMOS 模型。您可以通过导航到我上面链接的站点存档并单击“最新模型”来找到它。在那里，您将看到适用于不同 CMOS 工艺节点的大量 SPIC...
设计应用 时间：2024/6/6 阅读：319
东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗
通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中，开关电源起着不可忽视的作用，它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信基站和数据中心的正常...
新品速递 时间：2024/6/5 阅读：311
碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有诸多技术优势，因此我们不难理解为何它已成为电动汽车（EV）、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中备受青睐的首选技术。...
基础电子 时间：2024/5/31 阅读：309
ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。 近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400...
新品速递 时间：2024/5/24 阅读：1250
