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MOSFET

MOSFET资讯

Vishay推出的新款60 V MOSFET是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款60 V TrenchFET?第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10 V条件下最大导通电阻降至4 mW,采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封装。Vi...

分类:新品快报 时间:2019/8/14 阅读:211 关键词:Vishay驱动

罗姆推超紧凑车用级MOSFET 可实现ADAS摄像头模块等设备的小型化

日本半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出超级紧凑,尺寸为1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品,可提供优越的安装可靠性。该系列产品符合汽...

分类:新品快报 时间:2019/8/13 阅读:265 关键词:MOSFET 摄像头

Digi-Key 供应Nexperia采用 LFPAK88 的汽车级 N 沟道 MOSFET

Nexperia 的 LFPAK88 MOSFET 采用紧凑的 8 mm x 8 mm 基底面   作为 DPAK 的真正替代品, Nexperia 的 LFPAK88 采用真正创新的 8 mm x 8 mm 封装,提供业界领先的功率密度。LFPAK88 是最具挑战性设计的首选MOSFET。该 MO...

分类:新品快报 时间:2019/8/5 阅读:416 关键词:Digi-Key MOSFET

ST意法半导体推出市场上击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器

意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器,集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET,使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。  VIPer26K MOSFET具有极高的额定电压,无需传统垂直堆叠FET和相关无源元件,即可实现类似的电压处理能力,可采...

分类:新品快报 时间:2019/8/2 阅读:479 关键词:SMI压力传感器

ROHM开发出确保安装可靠性的车载用超小型MOSFET“RV4xxx系列”

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”,该系列产品可确保部件安装后的可靠性,且符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,是确保车规级品质的高可靠性产品。另外,产品采用了ROHM...

分类:新品快报 时间:2019/8/1 阅读:502 关键词:ROHM汽车电子

ROHM推出安装可靠性更高的车用超小型MOSFET“RV4xxx系列”

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”,该系列产品可确保部件安装后的可靠性,且符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,是确保车规级品质的高可靠性产品。另外,产品采用了ROHM...

分类:新品快报 时间:2019/7/25 阅读:701 关键词:ROHM

Rutronik - 儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飞凌OptiMOS™ 功率MOSFET

英飞凌OptiMOS 3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装,与先前型号相比,具有更高的功率密度和稳健性,从而降低系统成本和提升整体性能。客户可以访问儒卓力电子商务平台了解有关OptiMOS BiC功率MOSFET产品信息。  由...

分类:名企新闻 时间:2019/7/23 阅读:312 关键词:英飞凌儒卓力

儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飞凌OptiMOS™ 功率MOSFET

由于具有最低的导通电阻(RDS(on)),这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外,通管壳(Junction to Case (RthJC)) 的较低热阻提供了出色的散热性能,从而带来更低的...

分类:新品快报 时间:2019/7/16 阅读:683 关键词:儒卓力英飞凌

TOREX - 低导通电阻,高速开关大了通用N沟道MOSFET产品阵容XP23系列、XP26系列

特瑞仕半导体株式会社(日本东京都中央区 董事总经理:芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616)开发了4种XP23系列(30V耐压)、3种XP26系列(60V耐压)作为MOSFET的新产品。  此次推出的7种产品均是具有低导通电阻和高速开关特性的通用N...

分类:新品快报 时间:2019/6/3 阅读:1125 关键词:MOSFET产品

华为强力扫货 手机、服务器用MOSFET急单声声催

中美贸易战战火延烧,华为禁令事件已经让大陆业者火速要求逻辑IC供应链紧急备货,熟悉功率元件业者透露,除了巩固华为海思晶圆代工、封测代工供应链以及台系逻辑IC供应体系外,疯狂扫货力道已经蔓延到功率基础元件金氧半场效晶体管(MOSFE...

分类:业界动态 时间:2019/5/27 阅读:320 关键词:华为服务器

MOSFET技术

Vishay 60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET 专用于标准栅极驱动电路

器件专门用于标准栅极驱动电路,栅极电荷低至22.5 nC,QOSS为34.2 nC,采用PowerPAK? 1212-8S封装。   宾夕法尼亚、MALVERN—2019年8月12日 — 日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新款60 V TrenchFET...

新品速递 时间:2019/8/13 阅读:183

电源系统开关控制器的 MOSFET

MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中,和我们的生活密不可分。MOSFET的优势在于:首先驱动电路比较简单。MOSFET需要的驱动电流比 BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或...

设计应用 时间:2019/8/9 阅读:183

电源设计DC/DC开关控制器的MOSFET选择

DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内,必须在低栅极电荷...

设计应用 时间:2019/8/8 阅读:186

MOSFET四步选型+应用案例解析

MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中,和我们的生活密不可分。   MOSFET的优势在于:首先驱动电路比较简单。MOSFET需要的驱动电流比 BJT则小得多,而且通常可以直接由...

设计应用 时间:2019/8/8 阅读:164

开关电源的 MOSFET 选择

DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内,必须在低栅极电荷...

设计应用 时间:2019/8/7 阅读:176

ST - 在LLC拓扑中,为什么选用体二极管恢复快的MOSFET

在当前全球能源危机的形式下,提高电子设备的能效,取得高性能同时降低能耗,成为业内新的关注点。为顺应这一趋势,世界上许多电子厂商希望在产品规格中提高能效标准。在电...

设计应用 时间:2019/7/24 阅读:336

一文详解MOSFET驱动技术

MOSFET简介   ■MOSFET的全称为:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常称之为,金属-氧化层-半导体-场效晶体管.   ■MOSFET最早出现在大概...

设计应用 时间:2019/7/23 阅读:307

为什么MOSFET是自动平衡超级电容器泄漏的最佳选择

MOSFET可降低超级电容器的工作偏置电压,平衡电路的功耗,并可以根据温度、时间和环境变化而自动调节。   在能量采集、办公自动化和备份系统等一系列新产品设计中,超级...

设计应用 时间:2019/6/25 阅读:1536

MOSFET中的电容计算

自从30多年前首次推出以来,MOSFET已经成为高频开关电源转换的主流。该技术一直在稳步改进,目前我们已经拥有了对于毫欧姆RDSON值的低电压MOSFET。对于较高电压的器件,它...

设计应用 时间:2019/6/19 阅读:1467

处理MOSFET非线性电容

自从30多年前首次推出以来,MOSFET已经成为高频开关电源转换的主流。该技术一直在稳步改进,目前我们已经拥有了对于毫欧姆RDSON值的低电压MOSFET。对于较高电压的器件,它...

设计应用 时间:2019/6/14 阅读:857

MOSFET产品