MOSFET

MOSFET资讯

1.1x1mm 和 1.4×1.2mm DFN 封装的小信号 MOSFET

Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3(SOT8015)和 DFN1412-6(SOT1268)封装中,并配备侧面可润湿侧面,可用于自动光学检查。  该公司表示:“1.1 x ...

分类:新品快报 时间:2024/9/11 阅读:303 关键词:MOSFET

英飞凌已推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET

英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。  英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管  它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分,其资质不如其工业级 Optimos ...

分类:新品快报 时间:2024/9/11 阅读:279 关键词:英飞凌

ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET, 非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用!

半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种...

时间:2024/9/9 阅读:23 关键词:半导体

Nexperia最新扩充的NextPower 80/100V MOSFET产品组合可提供更高的设计灵活性

Nexperia今日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化,可在服务器、电源、快速...

时间:2024/9/9 阅读:21 关键词:Nexperia

Rohm -罗姆第4代SiC MOSFET大量应用于吉利旗下品牌“极氪”3款车型

日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起,这...

时间:2024/9/5 阅读:34 关键词:半导体

Rohm 车载Nch MOSFET10种型号、3种封装

常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用!符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,有助于车载应用的高效运行和小型化。  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFE...

时间:2024/8/23 阅读:33 关键词:Rohm

Infineon - 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET

功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用...

时间:2024/8/21 阅读:59 关键词:温度传感器

Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器

Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC...

时间:2024/8/21 阅读:37 关键词:IGBT

Infineon - 英飞凌推出全新600 V CoolMO 8 SJ MOSFET系列, 适用于高成本效益的先进电源应用

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出600 V CoolMOS 8 高压超结(SJ)MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS 7 MOSFET系列的先进特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOS...

时间:2024/8/20 阅读:33 关键词:半导体

Infineon - 英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2,提高系统功率密度

在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下,电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用...

时间:2024/8/20 阅读:33 关键词:半导体

Infineon - 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V, 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率

随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更...

时间:2024/8/20 阅读:31 关键词:半导体

Infineon - 新型OptiMOS 7 MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和开关效率

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS 7 MOSFET产品组合,在40 V 产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件,并且推出了80 V和100 V型号的OptiMOS 7 MOSFET。这些MOSFET针对各...

时间:2024/8/19 阅读:45 关键词:半导体

纳微推出TOLL封装版第三代快速碳化硅MOSFETs

第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装,为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度  纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布为其最新的...

分类:新品快报 时间:2024/8/14 阅读:305 关键词:MOSFETs

Mouser - 贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET

专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术,开启了电力系统和能量转换的新篇章...

时间:2024/8/8 阅读:45 关键词:英飞凌

Diotec - 手机、手表和无线耳机的无线充电,由MOSFET DI048N04PT供电

这款3合1无线充电站有两个充电器和18个铜线圈,用于快速充电。它的特别之处在于它能够处理电量水平,同时为手机、智能手机和手表充电。它的设计用于给带有外壳的设备充电,但可能会被厚厚的外壳或诸如PopSocket之类的障碍物干扰。德欧泰...

时间:2024/8/7 阅读:39 关键词:半导体