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MOSFET

MOSFET资讯

被动元件价格暴跌,首当其冲的将是MLCC和MOSFET

零组件陷盘整,被动元件好景不复见!业界传出,微软因MLCC库存水位过高、四处询问代工厂有没有需要?最近连涨价概念MOSFET也跟着头大,近期不仅供需相当平衡,价格也是松动在即,让已经跟英飞凌签订条件严苛的长期供货合约的业者觉得伤脑筋...

分类:维库行情 时间:2019/4/2 阅读:200 关键词:MLCC 元件 MOSFET 

被动元件价格暴跌,MLCC和MOSFET首当其冲

零组件陷盘整,被动元件好景不复见!业界传出,微软因MLCC库存水位过高、四处询问代工厂有没有需要?最近连涨价概念MOSFET也跟着头大,近期不仅供需相当平衡,价格也是松动...

分类:维库行情 时间:2019/4/1 阅读:241 关键词:MLCC MOSFET 

安世半导体宣布推出最低导通阻抗,且优化关键性能的LFPAK56和LFPAK33封装MOSFET

同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷  荷兰奈梅亨--(美国商业资讯)--Nexperia(安世半导体),分立器件、逻辑器件和 MOSFET 器件的全球领导者,今日宣布其已采用 Tre...

分类:新品快报 时间:2019/3/25 阅读:3686 关键词:LFPAK33 LFPAK56 MOSFET 

TI首款适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功能的隔离式栅极驱动器,可显著节约能耗,并为高压系统构筑坚强屏障

2019年3月18日,北京讯–德州仪器(TI)(纳斯达克代码:TXN)近日推出多款新型隔离式栅极驱动器。它们不仅能够提供出色的监控能力,还可为高压系统构筑坚强的保护屏障。UCC21...

分类:新品快报 时间:2019/3/21 阅读:240

降价以巩固市占率?传MOSFET将降价2成

在2018年,电子元器件产业链经历了多次原材料缺货、物料供不应求涨价到供过于求跌价。随后各个领域厂商开始释放产能,以应对市场缺货局面。   近日,传MOSFET市场供需基...

分类:维库行情 时间:2019/3/19 阅读:397 关键词:MOSFET 

MOSFET开始止涨回跌,最高降价两成!

据IC渠道商透露,受半导体库存调整及大陆厂产能开出影响,原本需求强劲,供不应求的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)也将从下季起降价,尤以消费性应用端降幅最甚,最高降价两成,牵动世界、合晶、大中、杰力等业者营运。 ...

分类:维库行情 时间:2019/3/18 阅读:326

Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内最佳水平

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案,同...

分类:新品快报 时间:2019/3/11 阅读:142

Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的30 V和40 V P沟道MOSFET

由于需要很高功率,12 V汽车系统马达驱动和主电源要求MOSFET在各种应用中具有极低的导通电阻,如电池反向极性保护和高边开关。VishaySiliconix -30 VSQJ407EP和-40 V SQJ409EP在10 V条件下,导通电阻分别为4.4 mW和7.0 mW,完全可以满足...

分类:新品快报 时间:2019/3/11 阅读:149

Mouser - 贸泽开售STMicroelectronics MDmesh M6高效超结MOSFET

超结晶体管。MDmesh M6系列MOSFET针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计,可提高电池充电器、电源适配器、PC电源、照明驱动器、电信和服务器电源以及太阳能 微型逆变器等设备的功率密度。   贸泽电子供应的 MDmesh ...

分类:新品快报 时间:2019/3/7 阅读:179

中国12吋产能开出,全球MOSFET将供过于求

虽然2019年初全球MOSFET芯片市场需求似乎不畏景气下滑的阴霾笼罩,多数MOSFET芯片供应商认为市场供需健康,但仍需留意中国大陆新兴12寸晶圆厂持续扩大投资,以及部分业者重...

分类:业界动态 时间:2019/3/6 阅读:241

MOSFET技术

MOSFET管的安全工作区

我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧...

设计应用 时间:2019/2/27 阅读:46

Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器,提高逆变器级工作效率

推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A,扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装,低压降输出电流损耗仅为3.5 mA,可用于提高逆变器级工作效率。   20190215_VOD3120.jpg   日前发布的光...

新品速递 时间:2019/2/18 阅读:161

Vishay推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案...

新品速递 时间:2019/1/29 阅读:14486

Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内最佳水平

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案...

新品速递 时间:2019/1/28 阅读:151

意法半导体快速恢复的超结MOSFET为电桥和ZVS转换器带来卓越性能

MDmeshDM6 MOSFET利用意法半导体先进的载流子寿命控制技术减少反向恢复时间(trr),最大限度地降低续流后关断期间二极管的耗散功率。优化的恢复软度增强了产品可靠性。此外,极低的栅极电荷(Qg)和导通电阻(RDS(ON))以及针对轻负载优化的电...

新品速递 时间:2019/1/23 阅读:144

Allegro推出经ASIL认证的全新BLDC MOSFET驱动器

新产品针对外部微处理器应用可提供完整的模拟系统解决方案Allegro MicroSystems(以下简称Allegro)推出符合ISO-26262标准的全新N沟道功率MOSFET驱动器AMT49105,新产品能够简化电机系统设计,并通过集成所需的功率模拟系统而减少了PCB面...

新品速递 时间:2018/12/26 阅读:137

基于IR2130驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路的设计

功率场效应晶体管(PowerMOSFET)是一种多数载流子导电的单极型电压控制器件,具有开关速度快、高频性能好、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、无二次击穿现象和安全工作区域(SOA)宽等优点,因此,在高性能的开关电源、斩波...

设计应用 时间:2018/12/25 阅读:130

enesas瑞萨电子100V半桥驱动器为12V - 48V汽车混合动力系统的双向电源控制器MOSFET提供安全驱动

全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723)今日宣布推出全新汽车应用级的 100V、4A 半桥N-MOSFET系列驱动器--- ISL784x4。ISL784x4 系列驱动器包括三个型号: ISL78424 、 ISL78444(三态电平PWM 输入,高边和低边驱...

新品速递 时间:2018/12/22 阅读:133

意法半导体高效超结MOSFET瞄准节能型功率转换拓扑

意法半导体推出MDmesh™系列600V超结晶体管,该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。 针对软开关技术优化的阈值电压使新型晶体管非常适用于节能应用中的LLC谐振转换器和升压PFC转换器。电容电压曲线有助...

新品速递 时间:2018/12/19 阅读:150

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有...

新品速递 时间:2018/10/23 阅读:191

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