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MOSFET

MOSFET资讯

MOSFET需求持续强劲,英飞凌称部分产品交期超过26周

近日英飞凌拟收购ST半导体的消息受到广泛关注,作为全球功率器件老大,英飞凌日前发布的财报显示强劲的增长,在全球MOSFET供应吃紧,价格飙涨的形势下,英飞凌称部分MOSFET...

分类:业界要闻 时间:2018/8/6 阅读:0 关键词:MOSFET 英飞凌 

MOSFET供需紧张,半导体涨价缺货,景气将持续

日前,据台湾媒体报道,随着时序进入半导体市场传统旺季,功率半导体MOSFET市场供给缺口持续扩大,国际IDM大厂又无扩增新产能,导致MOSFET价格已连续3季度调涨,目前第三季...

分类:行业趋势 时间:2018/7/27 阅读:0 关键词:MOSFET 

英飞凌携电能供应链产品和全套系统及应用解决方案 亮相PCIM Asia上海展

2018年6月25日,中国上海讯 —— 英飞凌科技(中国)有限公司(以下简称英飞凌)将于6月26 - 28日参加在上海世博展览馆举办的 PCIM Asia上海国际电力元件、可再生能源管理...

分类:新品快报 时间:2018/6/26 阅读:0 关键词:pcim asia2018 英飞凌 mosfet igbt 

意法半导体推出离线转换器 提高5-30V电源的雪崩耐量、能效和灵活性

意法半导体的VIPer11离线转换器内置800V耐雪崩MOSFET,可帮助设备制造商设计更耐用的辅助电源和电源适配器,其26Vdc漏极启动电压允许超宽的线路输入电压,并提高诸多消费和...

分类:新品快报 时间:2018/6/23 阅读:0 关键词:意法半导体 MOSFET 

MOSFET、IGBT晶圆代工第三季确定涨价,涨幅最高20%

IDM厂及IC设计厂均大动作争抢晶圆代工产能,包括茂矽、汉磊、世界先进、新唐等MOSFET或IGBT订单满到年底,第三季6寸晶圆代工价格大涨10~20%,8寸晶圆代工价格亦调涨5~10...

分类:维库行情 时间:2018/6/13 阅读:0 关键词:MOSFET IGBT晶圆代工 

MOSFET、IGBT订单满载,7月起代工涨价10%-15%

台媒透露,金氧半场效电晶体(MOSFET)及绝缘闸双极电晶体(IGBT)等功率半导体下半年恐再现缺货潮,IDM厂及IC设计厂均大动作争抢晶圆代工产能,包括茂硅 、汉磊 、世界先进 、新唐等台厂MOSFET、IGBT订单满到年底,已确定第三季(7月起...

分类:业界动态 时间:2018/6/13 阅读:0 关键词:MOSFET IGBT 

上游8英寸晶圆产能拉警报,市场再传报价调涨消息!

受到MOSFET缺货、价格喊涨影响,上游8英寸晶圆产能拉警报,再度传出8英寸报价调涨,世界先进8英寸产能持续短缺,业界预估至明年初仍无法获得抒解。   近期MOSFET报价调涨,由于中国大陆家电产品对变频化趋势持续推进,对MOSFET等需求...

分类:维库行情 时间:2018/6/4 阅读:0 关键词:8英寸 MOSFET 

功率器件景气度高,硅晶圆紧缺未缓解

2017年以来,功率器件供给也出现了缺货涨价情况,8寸硅晶圆的供不应求,市场需求旺盛,使得上游吹起涨价风潮。然而今年,高中低压MOSFET、IGBT的交期趋势呈现了全面延长的...

分类:行业趋势 时间:2018/5/24 阅读:1 关键词:功率器件 MOSFET 

MOSFET供不应求 Q2再涨一成

英特尔第二季将推出搭载Z390芯片组Coffee Lake处理器平台,超微将推出第二代Zen+架构处理器平台及新款Vega绘图卡,加上辉达(NVIDIA)新一代搭载Volta芯片绘图卡将进入出货。...

分类:维库行情 时间:2018/3/21 阅读:71 关键词:MOSFET 芯片组 英特尔 

快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力

亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 LTC7004,该器件用高达 60V 的电源电压运...

分类:新品快报 时间:2017/9/9 阅读:504 关键词:MOSFET 驱动器 

MOSFET技术

大功率电源MOSMOSFET问题的分析

本文主要介绍三极管原理最通俗的表达理解,希望对您的学习有所帮助。   对三极管放大作用的理解,切记一点:能量不会无缘无故的产生,所以,三极管一定不会产生能...

设计应用 时间:2018/8/15 阅读:89

MOSFET开关损耗分析

摘要:为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET栅极电荷、极间电容的阐述和导通过...

设计应用 时间:2018/8/14 阅读:34

MOSFET失效原因全分析,总结后就6点

MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator) —半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都...

设计应用 时间:2018/8/10 阅读:95

二次侧同步整流 MOSFET 驱动器问市

Diodes Incorporated 为高质量应用特定标准产品全球制造商和供货商,其产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟和混合讯号半导体等市场。该公司今日宣布推出 APR346 二次侧...

新品速递 时间:2018/7/18 阅读:695

意法半导体推出全新VIPower™MOSFET功率管

电路发生故障或异常,随着电流不断升高,并且电流升高有可能损坏电路中的某些重要器件或贵重器件,也可能烧毁电路甚至造成火灾。电路中正确地安置了熔断器,熔断器就会在电...

新品速递 时间:2018/7/16 阅读:698

SiC MOSFET的快速短路检测与保护

功率器件有多种不同的短路模式,其中最严重的一种是桥臂短路,在这种短路模式下,电流迅速上升,同时器件承受母线电压。我们需要首先对这种短路模式下的MOSFET的行为进行研...

设计应用 时间:2018/7/16 阅读:670

IGBT扫盲文,IGBT基础与运用知识学习

IGBT基础与运用  IGBT, 中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快 的特点(控...

设计应用 时间:2018/7/5 阅读:713

MOSFET寄生电容对LLC串联谐振电路ZVS的影响

LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通(ZVS),MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS,需要满足以下三个基本条件...

设计应用 时间:2018/6/29 阅读:212

Microsem美高森美宣布推出专门用于SiC MOSFET技术的极低电感SP6LI封装

实现高电流、高开关频率和高效率   将于6月5日至7日在PCIM欧洲电力电子展的6号展厅318展台   展示采用全新低电感封装的五个标准模块的完整产品线   致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商...

新品速递 时间:2018/6/14 阅读:192

在低功率压缩机驱动电路内,意法半导体最新超结MOSFET与IGBT技术比较

电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。   为满足市场需求,意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术,例如, IGBT和最新的超结...

设计应用 时间:2018/6/8 阅读:283

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