9月25日消息，大DRAM制造商三星电子（Samsung Electronics）原预期在2006年第二季初，80纳米制程产品应开始小量供货，但为了避免旺季来临时，因80纳米制程转换遇到瓶颈而丧失市场，三星临时更换投片策略，将先行挪出8英寸厂产能采用0.11微米制程来接替，待需求转弱时再投入80纳米制程量产；目前初步估计快也要等到2007年季左右，80纳米制程才有产品产出，但可预期的是，DRAM市场将因三星的错估制程转换顺畅度而大受影响。
据港台媒体报道，据了解，三星电子转进90纳米制程时间已几乎长达1～2年，且制造良率相当稳定，因此认为要进入80纳米制程并非难事，原本估计2006年4月就会有比90纳米的C代产品更进一步，采用80纳米所制造的D代产品出现；不过，由于80纳米并非如当初想象容易，导致4月起迄今仅能采90纳米制程投产DRAM。
但正因80纳米出现瓶颈，因此导致这部分原本所估算新增产能，到现在迟迟无法开出，才会造成DRAM市场供货持续处于吃紧状态，而面对一连串市场需求旺季，三星立即做出决定，将改由8英寸厂重担重任，先用旧的0.11微米制程于8英寸厂投产，而所生产商品则先称之为D代商品，而接下来到80纳米时所生产商品，才会称之为E代DRAM产品。
三星当前虽有12英寸晶圆厂，且也均已营运相当长一段时间，照理来说如将0.11微米制程用在12英寸厂应无太大问题，但由于当下12英寸厂大多已转近90纳米制程，且更重要的在于12英寸厂对于三星来说大多需生产较高容量的DRAM或NAND Flash商品，在此之际三星根本无多余12英寸厂可用于投产80纳米，因而才会选择采用0.11微米制程投入8英寸厂量产标准型DRAM，不过众所皆知这应仅是在此赶工时期的权宜之计。
DRAM厂指出，就连制程可说是群雄的三星，到了80纳米制程似乎也有些许困难，也难怪其余DRAM厂在当下无论是沟槽式（Trench）或堆栈式（Stack）的DRAM厂，在由90纳米制程进入到70纳米制程时，也均遇上同样问题，造成近来DRAM市场供货会如此吃紧。
