FAIRCHILD/*童
FDD850N10L
*缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道，金属氧化物
增强型
MOS-HBM/半桥组件
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
企业名：深圳市福田区泰捷科电子商行
类型：经销商
电话： 86 0755 82565422
联系人：连晓明
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 深圳市福田区华强佳和大厦5C193室
∟ MOSFET(4)
| FDD6030L | 30V N沟道逻辑PowerTrench® MOSFET |
| FDD6690A | 30V N沟道PowerTrench® MOSFET |
| FCD620N60ZF | N 沟道 SuperFET® II FRFET® MOSFET 600V、7.3A、620mΩ |
| FDD120AN15_F085 | N 沟道 Power Trench® MOSFET 150 V、14 A、120 mΩ |
| FDD10AN06_F085 | N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 10.5mΩ |
| FDD770N15A | 150V、18A、77mΩ、N沟道PowerTrench®MOSFET |
| FDD1600N10ALZ | N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V, 6.8A, 160mΩ |
| FCD380N60E | N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600 V、10.2 A、380 mΩ |
| FCD900N60Z | N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600 V、4.5 A、900 mΩ |
| FCD600N60Z | N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600 V、7.4 A、600 mΩ |
| FDD4N60NZ | N 沟道 UniFETTM II MOSFET 600V, 3.4A, 2.5Ω |
| FDD86540 | N沟道PowerTrench® MOSFET(60V，50 A，4.1 mΩ) |
| FDD390N15ALZ | N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V, 26A, 42mΩ |
| FDD86113LZ | 100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET |
| FDD5N60NZ | N 沟道 UniFETTM II MOSFET 600V, 4A, 2Ω |
| FDD7N60NZ | N 沟道 UniFETTM II MOSFET 600V, 5.5A, 1.25Ω |
| FDD86110 | 100V N沟道PowerTrench® MOSFET。 |
| FDD86252 | 150 N沟道PowerTrench® MOSFET |
| FDD390N15A | N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V, 26A, 40mΩ |
| FDD3672_F085 | 100V N沟道UltraFET沟道MOSFET |
| FDD18N20LZ | N 沟道 UniFETTM MOSFET 200V，16A，125mΩ |
| FDD14AN06L_F085 | N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 14.6mΩ |
| FDD86102LZ | 100V N沟道PowerTrench® MOSFET。 |
| FDD86250 | 150V N沟道PowerTrench® MOSFET |
| FQD8P10TM_F085 | 100V P沟道QFET® MOSFET |
| FDD7N25LZ | N 沟道 UniFETTM MOSFET 250V，6.2A，550mΩ |
| FDD10N20LZ | N 沟道 UniFETTM MOSFET 200V，7.6A，360mΩ™ |
| FDD850N10L | N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 100V, 15.7A, 75mΩ |
| FDD8N50NZ | N 沟道 UniFETTM II MOSFET 500V，6.5A，850mΩ |
| FDD86326 | 80V N沟道PowerTrench® MOSFET |
| FQD10N20L | N 沟道 QFET® MOSFET 200V, 7.6A, 380mΩ |
| FQD2N90 | N 沟道 QFET® MOSFET 900V，1.7A，7.2Ω |
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