FAIRCHILD/*童
FQU4N50TU_WS
*缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道，金属氧化物
增强型
MOS-FBM/全桥组件
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
GE-N-FET锗N沟道
企业名：深圳市福田区泰捷科电子商行
类型：经销商
电话： 86 0755 82565422
联系人：连晓明
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 深圳市福田区华强佳和大厦5C193室
∟ MOSFET(4)
| FDU6N25 | N 沟道 UniFETTM MOSFET |
| FCU900N60Z | N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600 V、4.5 A、900 mΩ |
| FDU7N60NZTU | N 沟道 UniFETTM II MOSFET 600V, 5.5A, 1.25Ω |
| FDU3N40 | N 沟道 UniFETTM MOSFET 400V, 2A, 3.4Ω |
| FDU6N50 | 分立式 MOSFET |
| FQU13N06L | N 沟道 QFET® MOSFET 600V，11A，115mΩ |
| FQU3N50C | N 沟道 QFET® MOSFET 250V, 3A, 1.75Ω |
| FQU2N50B | N 沟道 QFET® MOSFET |
| FQU2N90 | N 沟道 QFET® MOSFET 900V，1.7A，7.2Ω |
| FQU4N50TU_WS | N 沟道 QFET® MOSFET 500V，2.6A，2.7Ω |
| FQU2N100 | N 沟道 QFET® MOSFET 1000 V、1.6 A、9 Ω |
| FQU2N90TU_AM002 | N 沟道 QFET® MOSFET 900V，1.7A，7.2Ω |
| FQU10N20C | N 沟道 QFET® MOSFET 250V, 7.8A, 360mΩ |
| FQU1N60C | N 沟道 QFET® MOSFET 600V, 1A, 11.5Ω |
| FQU2N60C | N 沟道 QFET® MOSFET 600V, 1.9A, 4.7Ω |
| FQU5N60C | N 沟道 QFET® MOSFET 600V, 2.8A, 2.5Ω |
| FQU1N80 | 分立式 MOSFET |
| HUFA76429D3 | 60V、20A、27mΩ、N沟道逻辑电平UltraFET® Power MOSFET |
| RFD14N05L | 50V、14A、100mΩ、N沟道逻辑电平Power MOSFET |
| RFD3055LE | 60V、11A、107mΩ、N沟道逻辑电平Power MOSFET |
| FQU17P06 | P 沟道 QFET® MOSFET -60V，-12A，135mΩ |
| FQU8P10 | N 沟道 QFET® MOSFET -100V，-6.6A，530mΩ |
| FQU11P06 | P 沟道 QFET® MOSFET -60V，-9.4A，185mΩ |
| FQU5P20 | P 沟道 QFET® MOSFET -200 V、-3.7 A、1.4Ω |
| FQU13N10L | N 沟道 QFET® MOSFET 100V，10A，180mΩ |
| FQU20N06L | N 沟道 QFET® MOSFET 60V，17.2A，42mΩ |
| FQU12N20 | N 沟道 QFET® MOSFET 200V, 9.0A, 280mΩ |
| FQU5N40 | N 沟道 QFET® MOSFET 400V, 3.4A, 1.6Ω |
| FQU9N25 | N 沟道 QFET® MOSFET 250V，7.4A，420mΩ |
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