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深圳市创唯电子有限公司

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晶体管 - 场效应管全新原装正品STMICROELECTRONICS品牌STD1NK60T4型号的功率场效应管, MOSFET, N沟道

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产品分类
商品信息

晶体管 - 场效应管MOSFET (600V以上):


STMICROELECTRONICS STD1NK60T4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V


制造商: STMICROELECTRONICS


制造商产品编号 STD1NK60T4
包装::  切割卷带
 Technical Data Sheet (427.01KB) EN
其它包装选项


 复卷 (最少 150/卷) 1752022RL 
检查库存数和价格


产品信息


晶体管极性  N沟道
电流, Id 连续  500mA
漏源电压, Vds  600V
在电阻RDS(上)  8ohm
电压 @ Rds测量  10V
阈值电压 Vgs  3V
功耗 Pd  30W
晶体管封装类型  TO-252
针脚数  3引脚
工作温度最高值  150°C
产品范围  -
MSL  MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)  No SVHC (17-Dec-2015)


潮湿敏感级别: MSL 1 -无限制 原产地: China
进行最后一道重要生产流程所在的国家


RoHS 合规: 是 
  RoHS 合规证书

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