9A的N沟道MOSFET,900v
9 A tiáo 条 de 的 N gōu 沟 dào 道 M O S F E T , 9 0 0 v
DESCRIPTION
描述
miáo 描 shù 述
The UTC
9N90 uses UTC’s advanced proprietary, planar
在9n90 UTC UTC的使用先进的,专有的,平面
zài 在 9 n 9 0 U T C U T C de 的 shǐ 使 yòng 用 xiān 先 jìn 进 de 的 , zhuān 专 yǒu 有 de 的 , píng 平 miàn 面
stripe,
DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate
条纹的DMOS技术,提供优良的RDS(ON),低门
tiáo 条 wén 纹 de 的 D M O S jì 技 shù 术 , tí 提 gōng 供 yōu 优 liáng 良 de 的 R D S ( O N ) , dī 低 mén 门
charge
and operation with low gate voltages. This device is suitable
具有低栅极电荷和操作电压。这是一个合适的设备
jù 具 yǒu 有 dī 低 shān 栅 jí 极 diàn 电 hè 荷 hé 和 cāo 操 zuò 作 diàn 电 yā 压 。 zhè 这 shì 是 yī 一 gè 个 hé 合 shì 适 de 的 shè 设 bèi 备
for use
as a load switch or in PWM applications.
用脉宽调制(PWM)开关的负载或应用程序。
yòng 用 mài 脉 kuān 宽 tiáo 调 zhì 制 ( P W M ) kāi 开 guān 关 de 的 fù 负 zài 载 huò 或 yìng 应 yòng 用 chéng 程 xù 序 。
FEATURES
特征
tè 特 zhēng 征
* RDS(ON)
= 1.4Ω @VGS = 10 V
1.4Ω×RDS(ON)的VGS =
10 V = @
1 . 4 Ω × R D S ( O N ) de 的 V G S = 1 0 V = @
* Ultra
Low Gate Charge ( Typical 45 nC )
*超低栅极电荷(典型的45,NC)
* chāo 超 dī 低 shān 栅 jí 极 diàn 电 hè 荷 ( diǎn 典 xíng 型 de 的 4 5 , N C )
* Low
Reverse Transfer Capacitance ( CRSS = Typical 14 pF )
*低反向转移(14 pF的容crss(典型的)
* dī 低 fǎn 反 xiàng 向 zhuǎn 转 yí 移 ( 1 4 p F de 的 róng 容 c r s s ( diǎn 典 xíng 型 de 的 )
* Fast
Switching Capability
*快速开关能力
* kuài 快 sù 速 kāi 开 guān 关 néng 能 lì 力
*
Avalanche Energy Specified
雪崩能量指定×××××××
xuě 雪 bēng 崩 néng 能 liàng 量 zhǐ 指 dìng 定 × × × × × × ×
*
Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
*改进的dv/dt能力,高ruggedness
我们的价值观:“诚信、、用心、高效”。
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