深圳市谷峰电子有限公司（GOFORD ELECTRONICS）

是GOFORD SEMICONDUCTOR谷峰半导体的全资子公司。位于美国硅谷（半导体圣地）的美国公司主要从事产品的研发和设计，香港公司GOFORDSEMICONDUCTOR HONG KONG负责整个亚太区的市场。深圳的谷峰电子GOFORD ELECTRONICS和无锡的羿胜华业科技YISUN SCIENCE & TECHNOLOGY为中国市场的主要销售和运营机构。

深圳市谷峰电子有限公司

Product	BVDSS	ID	PACKAGE
	(V)	(A)
9N40	400V	9A	TO-251/252
18N20	200V	18A	TO-251/252
630A	200V	9A	TO-251/252
5N20A	200V	5A	TO-251/252
G2002	200V	2A	TO-92
2002A	200V	2A	SOT-23-6
1002	100V	2A	SOT-23
G1002	100V	2A	TO-92
G1002L	100V	2A	SOT-23-3L
G1003B	100V	5A	SOT-23-3L
G1003A	100V	5A	SOT-23-3L
G1005A	100V	5A	SOT-23-3L
G1006A	100V	6A	TO-92
11N10C	100V	11A	TO-251/252
G15N10C	100V	15A	TO-252
18N10	100V	18A	TO-252
03N06 06N06L	60V	3A	SOT-23-3L
3400(L)	30V	5.8A	SOT-23
2300	20V	5.2A	SOT-23

表格料号不全，更多料号请电询或QQ联系，谢谢！

产品型号：GOFORD  G80N06  参数：60V  80A   封装：T0-252贴片(TO-251/220插件均可封装)

产品种类:	MOSFET
品牌:	GOFORD
型号:	G80N06
FET 型：	N-channel
VDSS：	60V
ID：	80A
RDS(no)@4.5V:	9.5mΩ
RDS(no)@10V：	8.8mΩ
PD:	85W
封装：	TO-252
包装：	2.5K/盘
Rohs：	Lead free / RoHS Compliant

深圳市谷峰电子有限公司

GOFORDSEMI.谷峰半导体一直致力于研发和销售功率MOSFET产品,技术包括平面工艺，沟槽工艺和的SPLITGATE技术。

产品专注于节能，可靠和不断创新，以不断提供高性价比的产品来满足市场需求。

GOFORDSEMI.谷峰半导体致力于限度地满足客户的需求，为客户提供可靠和成本优势的产品。

GOFORSEMI坚持不断创新，不断改善，建立与工程师和客户共同价值的合作伙伴。

GOFORDSEMI.拥有一组具有丰富半导体经验的设计、研发和销售团队，团队多数成员在世界一流公司有过丰富的工作经验。

GOFORDSEMI.广泛整合国外和亚太地区先进的生产技术和丰富的人力资源，在产品和市场上不断开拓创新。

MOSFET-P和MOSFET-N的区别：

1、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；

2、为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。

而与NMOS不同，PMOS管外加的Vds必须是负值，开启电压VT也必须是负值，实际电流方向为流出漏极。

N沟道和P沟道MOSFET分为增强型和耗尽型。

MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

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企业名：深圳市谷峰电子有限公司

类型：原厂制造商

电话： 0755-29961262
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