描述：MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23标准包装：3,000类别：分离式半导体产品家庭：FET - 单系列：-FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点：逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)：30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.2A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：75 毫欧 @ 2.2A，10VId 时的 Vgs(th)（）：1.4V @ 250μA闸电荷(Qg) @ Vgs：15.6nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds：720pF @ 15V功率 - ：480mW安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）包装：带卷 (TR)其它名称：NTR4171PT1G-NDNTR4171PT1GOSTR

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