低功耗 EMB21A03V EDFN 3X3 杰力原装 双N沟道场效应晶体管

双N沟道场效应晶体管 EMB21A03V的结构图：

双N沟道场效应晶体管 EMB21A03V的极限参数：

• 漏极-源极电压：30V
• 栅极-源极电压：±20V
• 漏极电流-连续：9A
• 漏极电流-脉冲：36A
• 雪崩电流：10A
• 雪崩能量：5mJ
• 重复雪崩能量：2.5mJ
• 功耗：2.27W
• 温度范围：-55~150℃

双N沟道场效应晶体管 EMB21A03V的热阻：

• 结到管壳的热阻：7.5℃/W
• 结到环境的热阻：55℃/W

企业名：东莞市宇芯电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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