企业名：东莞市宇芯电子有限公司
类型：贸易/代理/分销
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EMB55A03G SOP-8 原装杰力双N沟道场效应晶体管 30VMOS管
30VMOS管 EMB55A03G的结构图：
30VMOS管 EMB55A03G的产品参数：
|
参数/测试条件 |
符号 | 数值 | 单位 | |
|
漏极-源极电压 |
BVDSS | 30 |
V |
|
|
栅极-源极电压 |
VGS | ±20 | ||
|
漏极电流-连续 |
TA=25℃ |
ID |
4.5 |
A |
|
TA=70℃ |
3.3 | |||
|
漏极电流-脉冲 |
IDM | 18 | ||
|
雪崩电流 |
IAS | 4.5 | ||
| 雪崩能量 | L=0.1mH,ID=4.5A,RG=25Ω | EAS | 1 |
mJ |
| 重复雪崩能量 | L=0.05mH | EAR | 0.5 | |
|
功耗 |
TA=25℃ |
PD |
2 |
W |
|
TA=70℃ |
1.3 | |||
|
温度范围 |
Tj,Tstg | -55~150 | ℃ | |
|
结到管壳的热阻 |
RθJC | 25 |
℃/W |
|
|
结到环境的热阻 |
RθJA | 62.5 | ||
30VMOS管 EMB55A03G的典型特性图：
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