EMB45P03P SOT-89 P沟道MOS管 贴片 低导通电阻晶体管

P沟道MOS管 EMB45P03P的内部结构图：

P沟道MOS管 EMB45P03P的产品参数：

• 漏极-源极电压：-30V
• 栅极-源极电压：±20V
• 漏极电流-连续：-4A
• 漏极电流-脉冲：-16A
• 功耗：1.47W
• 温度范围：-55~150℃
• 结到管壳的热阻：18℃/W
• 结到环境的热阻：85℃/W

P沟道MOS管 EMB45P03P的电气特性：

• 漏极-源极击穿电压：-30V
• 栅极开启电压：-1.5V（典型值）
• 栅极漏电流：±100nA
• 值静态漏源导通电阻：50mΩ
• 输入电容：820pF
• 输出电容：122pF
• 反向传输电容：97pF
• 栅源电荷密度：2.2nC
• 栅漏电荷密度：2.5nC
• 开启延迟时间：5.5nS
• 上升时间：10nS
• 关断延迟时间：18nS
• 下降时间：15nS

P沟道MOS管 EMB45P03P的封装外形尺寸：

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