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FIR4N80BPG-Y TO-251 N沟道功率MOSFET 高压MOS

FIR4N80BPG-Y TO-251 N沟道功率MOSFET 高压MOS
FIR4N80BPG-Y TO-251 N沟道功率MOSFET 高压MOS
  • 型号/规格：

    FIR4N80BPG-Y

  • 品牌/商标：

    美国福斯特

  • 封装形式：

    TO-251

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    中功率

  • VDSS：

    800V

  • ID：

    3A

  • RDS(ON)：

    4.8Ω

  • PDF资料：

    点击下载PDF

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  • 企业名：东莞市宇芯电子有限公司

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商品信息



FIR4N80BPG-Y TO-251 N沟道功率MOSFET 高压MOS



高压MOS FIR4N80BPG-Y的极限值：



高压MOS FIR4N80BPG-Y的热阻：

  • 结到管壳的热阻：2℃/W
  • 结到环境的热阻：110℃/W




高压MOS FIR4N80BPG-Y的电特性：

  • 漏极-源极击穿电压：800V
  • 栅极开启电压：5V
  • 静态漏源导通电阻：4.8Ω
  • 输入电容：290pF
  • 输出电容：30pF
  • 反向传输电容：3.5pF
  • 开启延迟时间：35ns
  • 开启上升时间：70ns
  • 关断延迟时间：60ns
  • 关断下降时间：65ns
  • 栅源电荷密度：2.6nC
  • 栅漏电荷密度：6nC



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