型号:HC018N10L参数：100V39A ，类型：N沟道超结MOS场效应管，内阻22毫欧， 超低结电容1000pF， 封装：贴片（TO-252）

HC018N10L是一款采用SGT工艺超结MOS管，低开启电压1.5V，低内阻，超低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强

HC018N10L可以应用于LED驱动电源，电子打火、驱动电机、工控电源等产品，超高性价比

HC018N10L是一款专门为应用于电弧打火市场设计开发的一款超结MOS管，超低开启电压 超低内阻，特别适合应用于电弧打火，其特点是打火猛、温度低、打火时间长、火花四射

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 MOS管种类和结构

     MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

     至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。

     对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。

     MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。

     在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

工厂规模：

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