K9F2G08UOM-YCBO内存芯片商主图

K9F2G08UOM-YCBO内存芯片商参数

制造商IC编号K9F2G08UOM-YCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码256MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保含铅

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9F2G08UOM-YCBO内存芯片商相关信息

打破垄断 实现零的突破

近期刚刚落幕的 CES Asia 上，我们见到江苏华存董事长李庭育上述所说的国内首颗自研工规级别 40 纳米制程嵌入式存储主控芯片。展位上中国红遍布全场，圆形是展台中存在多的元素，透过这些元素像是看到了一颗颗小小芯片在未来电子产品应用中发挥核“芯”功能。

江苏华存正式注册成立于 2017 年 9 月，是一家专注于存储芯片设计和存储解决方案研发生产的公司，致力于高阶存储产品主控芯片的设计与制造，存储方案包含 SD/microSD、USB、eMMC 以及 SSD 等。目前华存已围绕存储器主控设计申请了 193 项，技术处于行业领先水平。

为进一步探讨我国存储领域“国产国造”主控芯片突破之路，IC 咖啡采访了江苏华存总经理魏智汎先生，他表示，从 2017 年年底开始进行工规级别 40 纳米制程嵌入式存储主控芯片 HC5001 的研发。这款在短短一年之内迅速孵化的芯片，各项指标均达到国际一流水，打破了由三星、海力士等国际主流厂商在该领域的垄断，填补了嵌入式高阶存储主控芯片国内空白。

江苏华存主控芯片 HC5001 应用方案

HC5001 主控芯片兼具高兼容性和高稳定度，支持第 5.1 版内嵌式存储器标准(eMMC5.1)、支持立体结构闪存材料(3D Flash)三比特单元(TLC)、支持随机读出写入闪存高稳定度效能算法(FTL)、支持第三代闪存接口(ONFI3.2)、支持高可靠度低密度奇偶校验码纠错验算法(LDPC)，其 40 纳米工艺制程满足了嵌入式存储高效能低功耗的特性需求。

eMMC 嵌入式存储由于其低功耗、高稳定度与轻小体积的特点，使其在工规级别新兴产业（如 AI、机器人、汽车电子等装置）开始普及。据魏智汎总经理介绍，HC5001 目前主要集中在类工规及工规等市场领域进行系统验证。他认为，我国 eMMC 产品需求有 95%的比例都是从美、日、韩进口的商规标准品，这对于工规级别新兴应用的发展有制约作用，华存选择由工规级别 eMMC 存储切入市场，期待与下游系统厂商共同协作推进产业发展。

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