安森美场效应管FDPF12N60NZ ON\FSC  

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体

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规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）12A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）650 毫欧 @ 6A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）34nC @ 10VVgs（值）±30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1676pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）39W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220F封装/外壳TO-220-3 整包

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