描述

NCE2003采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 互补MOSFET可用于形成电平移位的高侧开关，并用于许多其他应用。

一般特征

●N通道

VDS = 20V，ID = 3A

RDS（ON）<35mΩ@ VGS = 4.5V

RDS（ON）<55mΩ@ VGS = 2.5V

●P通道

VDS = -20V，ID = -3A

RDS（ON）<75mΩ@ VGS = -4.5V

RDS（ON）<100mΩ@ VGS = -2.5V

●高功率和电流处理能力

●获得无铅产品

●表面贴装封装

企业名：深圳市圳科科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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