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BSS123LT1G 小信号场效应晶体管

BSS123LT1G  小信号场效应晶体管
BSS123LT1G  小信号场效应晶体管
  • 型号/规格:

    BSS123LT1G

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

VIP会员 第 3
  • 企业名:深圳市怡兴业电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-82568996

    手机:13828875961

    联系人:赵小姐

    QQ: QQ:3008064856

    微信:

    邮箱:3008079730@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区深南中路佳和大厦b座1202-03

产品分类
商品信息

参数名称 参数值
Source Content uid BSS123LT1G
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
Objectid 2014175875
零件包装代码 SOT-23
包装说明 ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数 3
制造商包装代码 318-08
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
Factory Lead Time 53 weeks
风险等级 0.58
Samacsys Description MOSFET N-Channel 100V 0.17A SOT23 ON Semiconductor BSS123LT1G N-channel MOSFET Transistor, 0.17 A, 100 V, 3-Pin SOT-23
Samacsys Manufacturer onsemi
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压 100 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID) 0.17 A
zui大漏极电流 (ID) 0.17 A
zui大漏源导通电阻 6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度 150 ?C
zui低工作温度 -55 ?C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs) 0.225 W
ren证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)BSS123LT1G
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV BSS123LT1G
精度:?0.05PF(A档) ?0.1PF(B档) ?0.25PF(C档) ?0.5%(D档)
?1%(F档) ?2%(G档) ?5%(J档) ?10%(K档)
?20%(M档) ?%2B80%-20%(Z档)BSS123LT1G
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

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全系列电容均有现货,如有查不到请联系客服,竭诚为您服务。

联系方式

企业名:深圳市怡兴业电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-82568996

手机:13828875961

联系人:赵小姐

QQ: QQ:3008064856

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地址:广东深圳深圳市福田区深南中路佳和大厦b座1202-03

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