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SI2301CDS-T1-GE3原装VISHAY

供应SI2301CDS-T1-GE3原装VISHAY
供应SI2301CDS-T1-GE3原装VISHAY
  • 型号/规格:

    SI2301CDS-T1-GE3

  • 品牌/商标:

    VISHAY

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • PDF资料:

    点击下载PDF

VIP会员 第 2
  • 企业名:深圳市腾桩电子有限公司

    类型:

    电话: 0755-88607455

    手机:17388749138

    联系人:陈连娣

    QQ: QQ:2851991391

    微信:

    邮箱:carrie@tenzhuang.com

    地址:广东深圳福田区群星广场A座3213室

商品信息

圳市腾桩电子有限公司,是电子元器件的国际分销商,代理分销 Microchip Power Integrations Dialog Toshiba ST ADI TI 等欧美日本品牌,客户范围涉及温控类、电力系统自动化产品、数字流媒体 产品、游戏机、新能源、通讯设备、汽车航空、仪器仪表、安防以及工业控制等诸多领域! 公司始终坚持以“诚实守信.质量.薄利多销”为原则,将产品质量和客户利益,腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100%原装,对货物所涉及的各个环节严 格把关。保证货物质量是我们的首要任务,降低客户成本是我们的永远追求。 腾桩电子拥有多年的厂家配套经验,承接各类客户生产需求的采购货单配套,诚实 守信,欢迎来电咨询!

SI2301CDS-T1-GE3

  • 品牌: VISHAY(威世)
  • 封装: SOT-23(SOT-23-3)
  • 描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.1A 功率(Pd):860mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA P沟道,-20V,-3.1A,112mΩ@4.5V


SI2301CDS-T1-GE3 功率场效应管,MOSFET,P沟道,20 V,3.1 A,0.09 ohm,SOT-23,表面安装



SI2301CDS-T1-GE3是20VDSTrenchFET?P通道增强模式功率MOSFET,适用于负载开关应用。


无卤素

-55至150?C工作温度范围

应用

工业,电源管理SI2301CDS-T1-GE3图片SI2301CDS-T1-GE3图片

SI2301CDS-T1-GE3参数


通道类型 P 晶体管配置
连续漏极电流 2.3 A 栅源电压 -8 V、%2B8 V
漏源电压 20 V 每片芯片元件数目 1
封装类型 SOT-23 晶体管材料 Si
安装类型 表面贴装 长度 3.04mm
引脚数目 3 宽度 1.4mm
漏源电阻值 112 mΩ 工作温度 -55 ?C
通道模式 增强 典型栅极电荷@Vgs 3.3 nC @ 2.5 V,5.5 nC @ 4.5 V
栅阈值电压 0.4V 高度 1.02mm
功率耗散 860 mW 工作温度 %2B150 ?C

 

SI2301CDS-T1-GE3引脚图



SI2301CDS-T1-GE3引脚图











联系方式

企业名:深圳市腾桩电子有限公司

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手机:17388749138

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