AOS万代全新进口原装AO4294 封装SOP-8 MOS场效应管

型号/规格：
AO4294
品牌/商标：
AOS
封装形式：
SOP-8
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装
功率特征：
中功率
封装：
SOP-8
电流：
11.5N
沟道：
N
电压：
100V

发布询价信息

普通会员

企业名：深圳市远东国际电子有限公司

类型：生产制造商

电话： 0755-82721234

手机：13242912888

联系人：陈丹霞

QQ：

邮箱：YDIC_888@163.COM

地址：广东深圳深圳市华强北路华强广场一楼Q1B082

产品分类

场效应管MOSFET(1)
∟ MOSFET(1)
电容器(19)
∟ 贴片(片式/SMD)电容(7)∟ 陶瓷电容(12)

新品上架

商品信息 更新时间：2017-11-14

沟道（channel）是指场效应晶体管中源区和漏区之间的一薄半导体层。

FET 类型: N 沟道

技术 MOSFET:（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 11.5A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）: 2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（值）: 50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） :2420pF @ 50V
Vgs（值）: ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值）: 3.1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）: 12 毫欧 @ 11.5A，10V
工作温度 :-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 :表面贴装

沟道是半导体中由于外加电场引起的沿长度方向的导电层。如MOS结构中当施加外部电场时在半导体表面形成的积累层及反型层[2] 。

在场效应晶体管中，源区和漏区之间有一薄半导体层，电流在其中流动受栅极电势的控制。沟道宽度是表征集成电路集成度的重要标志。商品集成电路中场效应晶体管的沟道宽度已小到0.25微米，每个芯片上包含了7亿多个晶体管[1]

联系方式

企业名：深圳市远东国际电子有限公司

类型：生产制造商

电话： 0755-82721234

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