FET 类型: N 沟道
技术 MOSFET:（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）:（25°C 时） 20A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） :2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） :1.6V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）: 43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） :4630pF @ 10V
Vgs（值） ±12V
FET 功能 -
功率耗散（值） 3.1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 5.5 毫欧 @ 20A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOIC

企业名：深圳市远东国际电子有限公司

类型：生产制造商

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