FET 类型 :2 个 P 沟道（双）
FET 功能 :逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3.2A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） :110 毫欧 @ 3.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）: 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）: 20nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） :870pF @ 10V
功率 - 值 :900mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

企业名：深圳市远东国际电子有限公司

类型：生产制造商

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