一般信息
数据列表: SI4324DY;
标准包装 :  2,500
类别: 分立半导体产品
产品族: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 :TrenchFET®


规格
FET 类型: N 沟道
技术 :MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :36A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.5V @: 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） :85nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） :3510pF @ 15V
Vgs（值）: ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值）： 3.5W（Ta），7.8W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）： 3.2 毫欧 @ 20A，10V
工作温度 ：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 ：表面贴装

供应商器件封装： 8-SO

值得一提的是采用平面式结构的功率MOSFET也并非不存在，这类元件主要用在的音响放大器中。平面式的功率MOSFET在饱和区的特性比垂直结构的对手更好。垂直式功率MOSFET则多半用来做开关切换之用，取其导通电阻（turn-on resistance）非常小的优点。


DMOS


DMOS是双重扩散MOSFET（double-Diffused MOSFET）的缩写，它主要用于高压，属于高压MOS管范畴。


以MOSFET实现类比开关


MOSFET在导通时的通道电阻低，而截止时的电阻近乎无限大，所以适合作为类比讯号的开关（讯号的能量不会因为开关的电阻而损失太多）。MOSFET作为开关时，其源极与漏极的分别和其他的应用是不太相同的，因为讯号可以从MOSFET栅极以外的任一端进出。对NMOS开关而言，电压负的一端就是源极，PMOS则正好相反，电压正的一端是源极。MOSFET开关能传输的讯号会受到其栅极—源极、栅极—漏极，以及漏极到源极的电压限制，如果超过了电压的上限可能会导致MOSFET烧毁。


MOSFET开关的应用范围很广，举凡需要用到取样持有电路（sample-and-hold circuits）或是截波电路（chopper circuits）的设计，例如类比数位转换器（A/D converter）或是切换电容滤波器（switch-capacitor filter）上都可以见到MOSFET开关的踪影。


单一MOSFET开关


当NMOS用来做开关时，其基极接地，栅极为控制开关的端点。当栅极电压减去源极电压超过其导通的临界电压时，此开关的状态为导通。栅极电压继续升高，则NMOS能通过的电流就更大。NMOS做开关时操作在线性区，因为源极与漏极的电压在开关为导通时会趋向一致。


PMOS做开关时，其基极接至电路里电位的地方，通常是电源。栅极的电压比源极低、超过其临界电压时，PMOS开关会打开。


NMOS开关能容许通过的电压上限为（Vgate-Vthn），而PMOS开关则为（Vgate+Vthp），这个值通常不是讯号原本的电压振幅，也就是说单一MOSFET开关会有让讯号振幅变小、讯号失真的缺点。

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