IRF7404
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
SOP-8
6.7A
P
20V
企业名:深圳市远东国际电子有限公司
类型:生产制造商
电话: 0755-82721234
手机:13242912888
联系人:陈丹霞
邮箱:YDIC_888@163.COM
地址:广东深圳深圳市华强北路华强广场一楼Q1B082
∟ MOSFET(1)
一般信息
数据列表: IRF7404PbF;
标准包装 : 4,000
包装 : 标准卷带
类别: 分立半导体产品
产品族: 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 :HEXFET®
其它名称: IRF7404PBFTR
SP
规格
FET 类型 ;P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 6.7A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On): 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值): 700mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值): 50nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值): 1500pF @ 15V
Vgs(值) :±12V
功率耗散(值): 2.5W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值): 40 毫欧 @ 3.2A,4.5V
工作温度 :-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 :表面贴装
供应商器件封装: 8-SO
按导电沟道可分为P沟道和N沟道。
耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。
增强型——对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道。
电力MOSFET主要是N沟道增强型。
种类
企业名:深圳市远东国际电子有限公司
类型:生产制造商
电话: 0755-82721234
手机:13242912888
联系人:陈丹霞
邮箱:YDIC_888@163.COM
地址:广东深圳深圳市华强北路华强广场一楼Q1B082
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司