FET 类型 ：2 个 N 沟道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） :8A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）: 20.5 毫欧 @ 8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）: 2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） :18nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）: 865pF @ 15V

功率 - 值: 2W

工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 :8-SO

AOS是AOS应用基础平台的简称。AOS应用基础平台是基于JavaEE技术体系，以"标准功能可复用、通用模块可配置、行业需求快速开发、异构系统无缝集成"为目标，为软件开发团队提供高效可控、随需应变、快速实现业务需求的全栈式技术解决方案。帮助企业落实IT策略、屏蔽技术壁垒，快速实现业务愿景。使其获得更低成本、更高质量、更快交付业务和运维支持的核心技术竞争力。

企业名：深圳市远东国际电子有限公司

类型：生产制造商

电话： 0755-82721234

手机：13242912888

联系人：陈丹霞

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